[发明专利]一种TSV孔的CVD填充方法有效

申请号：	202110467419.8	申请日：	2021-04-28
公开（公告）号：	CN113035777B	公开（公告）日：	2023-04-28
发明（设计）人：	赵波;陈曦	申请（专利权）人：	上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	戴广志
地址：	201203 上海市浦东***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种 tsv cvd 填充方法
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【说明书】：

本发明提供一种TSV孔的CVD填充方法，提供接触孔；对接触孔进行Ti沉积；对沉积Ti后的接触孔进行第一次退火；对接触孔利用PVD进行Ti沉积，然后利用PVD进行TiN沉积，之后利用CVD进行TiN沉积，进行该TiN沉积采用四次分步沉积；利用PVD沉积厚度为的TiN；对接触孔进行第二次退火；对接触孔进行钨填充；对接触孔开口处进行回刻；对接触孔沉积TiN；利用CVD对所述接触孔进行钨填充；对接触孔表面进行化学机械研磨，使其平坦化。本发明采取多步的的PVD Ti淀积，加入能够提升底部覆盖度的Ti注入，同时在PVD Ti和TiN淀积后，加入退火步骤，提升了Ti/TiN阻挡层的粘附性，同时减少应力，防止阻挡层断裂，提升了阻挡层的质量，最终在钨CVD填充后，获得了良好的TSV填充效果。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种TSV孔的CVD填充方法。

背景技术

TSV填充的质量对于器件的性能非常重要，通常使用铜电镀或者钨化学气相淀积的方法来完成，其中钨化学气相淀积是在普通铝线后段中常用的方法，通常使用单层PVD阻挡层和MOCVD TiN的方法。但是通常只是用来填充尺寸较小的接触孔，用这种方法来填充CD尺寸和深度大很多的TSV孔，会遇到填充不完全的问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种TSV孔的CVD填充方法，用于解决现有技术中的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种TSV孔的CVD填充方法，该方法至少包括：

步骤一、提供接触孔；对所述接触孔进行Ti沉积；

步骤二、对沉积Ti后的所述接触孔进行第一次退火；

步骤三、对所述接触孔利用PVD进行Ti沉积，然后利用PVD进行TiN沉积，之后利用CVD进行TiN沉积，进行该TiN沉积采用四次分步沉积；

步骤四、利用PVD沉积厚度为的TiN；

步骤五、对所述接触孔进行第二次退火；