[发明专利]一种TSV孔的CVD填充方法有效
| 申请号： | 202110467419.8 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113035777B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 赵波;陈曦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tsv cvd 填充 方法 | ||
1.一种TSV孔的CVD填充方法，其特征在于，该方法至少包括：
步骤一、提供接触孔；对所述接触孔进行Ti沉积；
步骤二、对沉积Ti后的所述接触孔进行第一次退火；
步骤三、对所述接触孔利用PVD进行Ti沉积，然后利用PVD进行TiN沉积，之后利用CVD进行TiN沉积，进行该TiN沉积采用四次分步沉积；利用CVD进行TiN沉积分四次进行，每次沉积的厚度为50Å；
步骤四、利用PVD沉积厚度为300 Å的TiN；
步骤五、对所述接触孔进行第二次退火；
步骤六、对所述接触孔进行钨填充；
步骤七、对所述接触孔开口处进行回刻；
步骤八、对所述接触孔沉积TiN；
步骤九、重复步骤六至步骤八2至3次；
步骤十、利用CVD对所述接触孔进行钨填充；
步骤十一、对所述接触孔表面进行化学机械研磨，使其平坦化。
2.根据权利要求1所述的TSV孔的CVD填充方法，其特征在于：步骤一中采用PVD工艺对所述接触孔进行Ti沉积。
3.根据权利要求1所述的TSV孔的CVD填充方法，其特征在于：步骤一中沉积的Ti的厚度为500Å。
4.根据权利要求1所述的TSV孔的CVD填充方法，其特征在于：步骤二中第一次退火的温度为685℃。
5.根据权利要求1所述的TSV孔的CVD填充方法，其特征在于：步骤二中第一次退火采用流量为30sccm的氮气为辅助气体。
6.根据权利要求1所述的TSV孔的CVD填充方法，其特征在于：步骤三中利用PVD沉积的Ti的厚度为500Å。
7.根据权利要求1所述的TSV孔的CVD填充方法，其特征在于：步骤三中利用PVD沉积的TiN的厚度为300Å。
8.根据权利要求1所述的TSV孔的CVD填充方法，其特征在于：步骤五中第二次退火的温度为685℃。
9.根据权利要求1所述的TSV孔的CVD填充方法，其特征在于：步骤五中第二次退火采用流量为30sccm的氮气为辅助气体。
10.根据权利要求1所述的TSV孔的CVD填充方法，其特征在于：步骤六采用CVD方法对所述接触孔进行钨填充，填充的厚度为8000Å。
11.根据权利要求1所述的TSV孔的CVD填充方法，其特征在于：步骤八中利用PVD对所述接触孔沉积TiN，沉积的所述TiN的厚度为300Å。
12.根据权利要求1所述的TSV孔的CVD填充方法，其特征在于：步骤十中对所述接触孔填充的钨的厚度为8000 Å。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
