[发明专利]成膜装置以及板

说明书

本实施方式提供成膜装置以及板，能够在径向上控制向基板面内供给的工艺气体的浓度、流量。本实施方式的成膜装置具备：成膜室，能够收容基板；气体供给部，具有设置在成膜室的上部并向基板的成膜面上供给工艺气体的多个喷嘴、以及抑制工艺气体的温度上升的冷却部；加热器，将基板加热到1500℃以上；以及板，在成膜室内与形成有多个喷嘴的第1开口部的气体供给部的下表面对置，且与该下表面分离地配置，板包括：多个第2开口部，具有比第1开口部小的直径，且在该板面内大致均匀地配置；以及分隔部，在与气体供给部对置的对置面上突出，将板的面内分隔为多个区域。

技术领域

本实施方式涉及成膜装置以及板。

背景技术

在SiC膜等的外延生长法中使用的成膜装置，需要以1500℃～1700℃这样的高温来加热基板。因此，例如，设置在成膜腔室的上部的气体供给部，也由于来自用于加热基板的加热器等的辐射而暴露在高温下。但是，当在气体供给部附近原料气体、掺杂气体进行对流而被加热时，包含原料以及掺杂物的堆积物会附着在气体供给部的表面上。如此附着于气体供给部的堆积物成为颗粒而落下到基板上，成为器件不良的原因。此外，由于从附着于气体供给部的堆积物释放出掺杂物气体，因此还存在SiC膜的掺杂浓度随时间经过而变化这样的问题(记忆效应)。

发明内容

本实施方式提供成膜装置以及板，能够在径向上控制向基板面内供给的工艺气体的浓度、流量。

本实施方式的成膜装置具备：成膜室，能够收容基板；气体供给部，具有设置在成膜室的上部并向基板的成膜面上供给工艺气体的多个喷嘴、以及抑制工艺气体的温度上升的冷却部；加热器，将基板加热到1500℃以上；以及板，在成膜室内与形成有多个喷嘴的第1开口部的气体供给部的下表面对置，并与该下表面分离配置，板包括：多个第2开口部，具有比第1开口部小的直径，且在该板面内大致均匀地配置；以及分隔部，在与气体供给部对置的对置面上突出，将板的面内分隔为多个区域。

本实施方式的板为，与向成膜室内的基板的成膜面上供给气体的气体供给部对置，并与该气体供给部分离配置，其具备：多个第2开口部，具有比设置于气体供给部且供给气体的喷嘴的第1开口部小的直径，在该板面内大致均匀地配置；以及分隔部，在与气体供给部对置的对置面上突出。

附图说明

图1是表示第1实施方式的成膜装置的构成例的截面图。

图2是表示腔室的头部的构成例的截面图。

图3是表示板以及第1开口部的配置关系的图。

图4是沿着图3的4-4线的截面图。

图5是板120的侧视图。

图6是表示在喷嘴上安装有测温孔的气体供给部的构成例的截面图。

图7是表示气体供给部与板之间的间隙的放大图。

图8A是表示基板面内的膜的掺杂浓度的偏差的曲线图。

图8B是表示基板面内的膜的掺杂浓度的偏差的曲线图。

图9A是表示基板面内的膜厚的偏差的曲线图。

图9B是表示基板面内的膜厚的偏差的曲线图。

图10是表示第2实施方式的板以及第1开口部的配置关系的图。

图11是表示第3实施方式的板的构成例的图。

图12是沿着图11的12-12线的截面图。

图13是表示分隔部的构成例的立体图。

图14是表示工具的构成例的立体图。

图15是表示工具的构成例的立体图。

图16是表示第3实施方式的变形例的板的构成例的图。