[发明专利]保护以防过热的功率部件

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

半导体衬底，具有上表面侧和下表面侧，并且包括层的堆叠，所述层的堆叠包括：掺杂有第一传导类型的第一层、掺杂有第二传导类型的第二层、以及掺杂有所述第一传导类型的第三层；

第一金属化层，在所述上表面侧上，并且具有第一部分，所述第一部分置于所述第二传导类型的第一掺杂区域上，所述第一掺杂区域被形成在所述第三层中；

栅极金属化层，在所述上表面侧上，并且置于所述第二传导类型的第二掺杂区域上，所述第二掺杂区域被形成在所述第三层中；

多孔硅棒，被形成在所述第三层中，其中所述多孔硅棒的第一端与所述第一掺杂区域和所述第一金属化层接触，并且其中所述多孔硅棒的第二端与所述第二掺杂区域和所述栅极金属化层接触；以及

第二金属化层，在所述下表面侧上。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述栅极金属化层仅与所述第二掺杂区域和所述多孔硅棒电接触。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二掺杂区域也由多孔硅材料制成。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一金属化层还包括第二部分，所述第二部分置于所述第三层的一部分上。

5.根据权利要求1所述的集成电路，还包括所述第二传导类型的第三掺杂区域，所述第三掺杂区域被形成在所述第一层中，并且其中所述第二金属化层与所述第三掺杂区域接触。

6.根据权利要求1所述的集成电路，还包括所述第一传导类型的第四掺杂区域，所述第四掺杂区域被形成在所述第三层中，并且其中所述第一金属化层与所述第四掺杂区域接触。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述多孔硅棒的所述第一端与所述第四掺杂区域接触。

8.一种集成电路，包括：

硅衬底，具有上表面侧和交替传导类型的多个层；

第一金属化层，在所述上表面侧上，并且置于掺杂有第一传导类型的第一区域上，所述第一区域被形成所述多个层中的层中；

栅极金属化层，在所述上表面侧上，并且置于在所述层中形成的多孔硅区域上，其中所述第一掺杂区域通过所述层的一部分与所述多孔硅区域分离；以及

多孔硅棒，被形成在所述层中，并且具有与所述栅极金属化层接触的第一端、以及与所述主金属化层接触的第二端。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其中在所述第一端与所述第二端之间，所述多孔硅棒包括在所述第一区域中延伸的部分。

10.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述多孔硅棒的所述第一端与所述第一区域接触，并且其中所述多孔硅棒的所述第二端与所述多孔硅区域接触。

11.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述硅衬底具有下表面侧，并且还包括在所述下表面侧上的第二金属化层。