[发明专利]晶片的加工方法

说明书

本发明提供晶片的加工方法，不会污染器件芯片的正面和气氛气体，并且不会降低器件芯片的抗折强度。该晶片的加工方法包含：改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于分割预定线的内部而沿着分割预定线进行照射，在晶片的内部形成改质层；水溶性树脂包覆工序，在该改质层形成工序之前或之后，在晶片的正面上包覆水溶性树脂；分割工序，将划片带扩展而将晶片与所包覆的水溶性树脂一起分割成各个器件芯片；以及改质层去除工序，在将划片带扩展并且各个器件芯片的正面被水溶性树脂包覆的状态下实施等离子蚀刻，将残留于器件芯片的侧面的改质层去除。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，将由相互交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片。

背景技术

由相互交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI、LED等多个器件的晶片被激光加工装置分割成各个器件芯片，分割后的器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。

激光加工装置构成为包含：卡盘工作台，其对被加工物(晶片)进行保持；激光光线照射单元，其照射对于该卡盘工作台所保持的被加工物具有透过性的波长的激光光线；X轴进给机构，其将该卡盘工作台和该激光光线照射单元在X轴方向上相对地进行加工进给；以及Y轴进给机构，其将该卡盘工作台和该激光光线照射单元在与X轴方向垂直的Y轴方向上相对地进行加工进给，该激光加工装置将激光光线的聚光点定位于晶片的分割预定线的内部而进行照射，在分割预定线的内部形成作为分割的起点的改质层(例如参照专利文献1)。然后，将支承晶片的背面的带扩展，将沿着分割预定线形成在内部的改质层作为分割的起点而将晶片分割成各个器件芯片。

专利文献1：日本特开2012-2604号公报

在如上所述沿着分割预定线形成作为分割起点的改质层而将晶片分割成各个器件芯片的情况下，存在如下的问题：在对晶片进行分割时，粉尘从成为分割起点的部位飞散而附着于器件的正面而污染器件。

另外，在器件芯片的外周(侧壁)残留有改质层的一部分，因此在分割工序之后的工序中，粉尘也从残留的改质层飞散而污染器件芯片和气氛气体，并且在器件芯片的侧壁上残留该改质层，存在使器件芯片的抗折强度降低的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供晶片的加工方法，不会污染器件芯片的正面和气氛气体，不会降低器件芯片的抗折强度。

根据本发明，提供一种晶片的加工方法，将由相互交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于分割预定线的内部而沿着分割预定线照射激光光线，在晶片的内部形成改质层；水溶性树脂包覆工序，在该改质层形成工序之前或之后，在晶片的正面上包覆水溶性树脂；框架支承工序，在该改质层形成工序之前或之后，将晶片的背面粘贴在划片带上，并且利用具有收纳晶片的开口部的环状框架对划片带的外周进行支承；分割工序，将该划片带扩展而将晶片与所包覆的该水溶性树脂一起分割成各个器件芯片；改质层去除工序，在将该划片带扩展并且各个该器件芯片的正面被该水溶性树脂包覆的状态下实施等离子蚀刻，将残留于该器件芯片的侧面的该改质层去除；以及水溶性树脂去除工序，将该器件芯片的正面上所包覆的该水溶性树脂去除。

当在该改质层形成工序之后实施该框架支承工序的情况下，在该改质层形成工序中，能够从晶片的背面侧照射激光光线，在该分割预定线的内部形成改质层。另外，当在该改质层形成工序之前实施该框架支承工序的情况下，在该改质层形成工序中，能够从该划片带侧隔着该划片带照射激光光线，在该分割预定线的内部形成改质层。

优选的是，在该分割工序中，当在该水溶性树脂固化之后将该划片带扩展而将晶片分割成各个该器件芯片的情况下，将该水溶性树脂加热而使该水溶性树脂软化。优选的是，在该分割工序中，在该水溶性树脂固化之前将该划片带扩展而将晶片分割成各个该器件芯片。