[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 202110463296.0 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113571468A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 中村胜 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
1.一种晶片的加工方法，将由相互交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，
该晶片的加工方法具有如下的工序：
改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于分割预定线的内部而沿着分割预定线照射激光光线，在晶片的内部形成改质层；
水溶性树脂包覆工序，在该改质层形成工序之前或之后，在晶片的正面上包覆水溶性树脂；
框架支承工序，在该改质层形成工序之前或之后，将晶片的背面粘贴在划片带上并且利用具有收纳晶片的开口部的环状框架对划片带的外周进行支承；
分割工序，将该划片带扩展而将晶片与所包覆的该水溶性树脂一起分割成各个器件芯片；
改质层去除工序，在将该划片带扩展并且各个该器件芯片的正面被该水溶性树脂包覆的状态下实施等离子蚀刻，将残留于该器件芯片的侧面的该改质层去除；以及
水溶性树脂去除工序，将该器件芯片的正面上所包覆的该水溶性树脂去除。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
当在该改质层形成工序之后实施该框架支承工序的情况下，在该改质层形成工序中，从晶片的背面侧照射激光光线，在该分割预定线的内部形成改质层。
3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
当在该改质层形成工序之前实施该框架支承工序的情况下，在该改质层形成工序中，从该划片带侧隔着该划片带照射激光光线，在该分割预定线的内部形成改质层。
4.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
在该分割工序中，当在该水溶性树脂固化之后将该划片带扩展而将晶片分割成各个该器件芯片的情况下，将该水溶性树脂加热而使该水溶性树脂软化。
5.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
在该分割工序中，在该水溶性树脂固化之前将该划片带扩展而将晶片分割成各个该器件芯片。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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