[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

半导体装置的制造方法，包含在层间介电质上形成第一图案化结构。层间介电质覆盖于第一源/漏极结构和第二源/漏极结构上。第一图案化结构沿着第一横向方向延伸，且第一图案化结构的垂直投影沿着与第一横向方向垂直的第二横向方向位于第一源/漏极结构与第二源/漏极结构之间。方法包含缩小第一图案化结构沿着第二横向方向延伸的宽度。方法包含基于具有缩小的宽度的第一图案化结构形成分别暴露出第一源/漏极结构和第二源/漏极结构的多个接触孔洞。

技术领域

本公开实施例涉及一种半导体装置，且在一些实施例中涉及一种晶体管装置的互连结构。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业已历经了指数式成长。集成电路材料及设计的技术的进步造成集成电路世代的产生，每一世代的电路比前一世代更小且更复杂。在集成电路的发展过程中，通常增加了功能密度(即每芯片面积中互连的装置数量)，而降低了几何尺寸(即使用制程所能创造的最小组件(或线路))。这种微缩化制程一般可通过增加生产效率及降低相关成本以提供许多利益。这样的微缩化也增加了集成电路结构(像是三维晶体管)和制程的复杂度，且为了实现这些进步，需要在集成电路处理和制程中进行相似的发展。举例而言，当装置尺寸持续缩小的同时，场效晶体管的装置效能(例如与各种缺陷有关的装置效能衰退)和制造成本变得更具挑战性。尽管解决这种挑战的方法一般已足够，但它们仍未在各方面都完全令人满意。

发明内容

本公开的一样态公开半导体装置的制造方法。方法包含在层间介电质上形成第一图案化结构。层间介电质覆盖于第一源/漏极结构和第二源/漏极结构上。第一图案化结构沿着第一横向方向延伸，且第一图案化结构的垂直投影沿着与第一横向方向垂直的第二横向方向位于第一源/漏极结构与第二源/漏极结构之间。方法包含缩小第一图案化结构沿着第二横向方向延伸的宽度。方法包含基于具有缩小的宽度的第一图案化结构形成分别暴露出第一源/漏极结构和第二源/漏极结构的多个接触孔洞。

本公开的另一样态公开半导体装置的制造方法。方法包含形成层间介电质覆盖于第一源/漏极结构和第二源/漏极结构上。方法包含在层间介电质上形成第一图案化结构。第一图案化结构沿着第一横向方向延伸，且第一图案化结构在层间介电质上的垂直投影沿着与第一横向方向垂直的第二横向方向位于第一源/漏极结构与第二源/漏极结构之间。方法包含修整第一图案化结构，借此缩小第一图案化结构沿着第二横向方向延伸的宽度。方法包含基于修整后的第一图案化结构蚀刻层间介电质以形成分别暴露出第一源/漏极结构和第二源/漏极结构的多个接触孔洞，因此分别扩大接触孔洞沿着第二横向方向的宽度。

本公开的又一样态公开半导体装置的制造方法。方法包含形成层间介电质覆盖于第一源/漏极结构和第二源/漏极结构上，第一源/漏极结构与第二源/漏极结构沿着第一横向方向彼此隔开。方法包含在层间介电质上形成图案化结构。图案化结构沿着第一横向方向位于第一源/漏极结构与第二源/漏极结构之间。方法包含夹住图案化结构沿着与第一横向方向垂直的第二横向方向的末端部分。方法包含缩小图案化结构沿着第一横向方向延伸的宽度。方法包含基于具有缩小的宽度的图案化结构蚀刻层间介电质以形成多个分别暴露出第一源/漏极结构和第二源/漏极结构的接触孔洞，因此缩短接触孔洞分别通过层间介电质隔开的内侧壁之间的距离。

附图说明

从以下的详述配合所附图式可更加理解本公开的样态。要注意的是，根据工业上的标准做法，各个部件并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，可能任意地放大或缩小各个部件的尺寸。

图1是根据一些实施例，显示鳍式场效晶体管(fin field-effect transistor，FinFET)装置的透视图。

图2是根据一些实施例，显示晶体管装置的互连结构的示范制造方法的流程图。

图3A、图4A、图5A、图6A、图7A、图8A、图9A、图10A和图11A是根据一些实施例，显示通过图2的方法来制造，在各个制程阶段期间的示范FinFET装置的俯视图。