[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

在一层间介电质上形成一第一图案化结构，其中该层间介电质覆盖于一第一源/漏极结构和一第二源/漏极结构上，且其中该第一图案化结构沿着一第一横向方向延伸，且该第一图案化结构的一垂直投影沿着与该第一横向方向垂直的一第二横向方向位于该第一源/漏极结构与该第二源/漏极结构之间；

缩小该第一图案化结构沿着该第二横向方向延伸的宽度；以及

基于具有缩小的宽度的该第一图案化结构形成分别暴露出该第一源/漏极结构和该第二源/漏极结构的多个接触孔洞。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，在缩小该第一图案化结构的宽度之前，还包括：

在该层间介电质上沉积至少一个成像层；以及

在该至少一个成像层内形成一沟槽，该沟槽沿着该第二横向方向延伸且暴露出该第一图案化结构的一中央部分。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，缩小该第一图案化结构的宽度的步骤包括：经由该沟槽蚀刻该第一图案化结构的该中央部分，同时该至少一个成像层夹住该第一图案化结构的末端部分。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在缩小该第一图案化结构的宽度的步骤之前，还包括：

在该层间介电质上形成一第二图案化结构，其中该第二图案化结构沿着该第一横向方向延伸，且该第二图案化结构的一垂直投影沿着该第二横向方向位于该第一源/漏极结构与该第二源/漏极结构之间；

在该层间介电质上沉积至少一个成像层；

在该至少一个成像层内形成一沟槽，该沟槽沿着该第二横向方向延伸且暴露出该第二图案化结构的一中央部分；以及

使用该第二图案化结构形成该第一图案化结构。

5.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成一层间介电质覆盖于一第一源/漏极结构和一第二源/漏极结构上；

在该层间介电质上形成一第一图案化结构，其中该第一图案化结构沿着一第一横向方向延伸，且该第一图案化结构在该层间介电质上的一垂直投影沿着与该第一横向方向垂直的一第二横向方向位于该第一源/漏极结构与该第二源/漏极结构之间；

修整该第一图案化结构，借此缩小该第一图案化结构沿着该第二横向方向延伸的宽度；以及

基于修整后的该第一图案化结构蚀刻该层间介电质以形成分别暴露出该第一源/漏极结构和该第二源/漏极结构的多个接触孔洞，因此分别扩大所述接触孔洞沿着该第二横向方向的宽度。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，在修整该第一图案化结构的步骤之前，还包括：

在该层间介电质上沉积至少一个成像层；以及

在该至少一个成像层内形成一沟槽，该沟槽沿着该第二横向方向延伸且暴露出该第一图案化结构的一中央部分。

7.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，还包括：以一金属材料填充扩大的所述接触孔洞，以形成分别电性连接至该第一源/漏极结构和该第二源/漏极结构的一第一互连结构和一第二互连结构。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，沿着该第二横向方向扩大该第一互连结构与该第二互连结构分别的宽度，以降低该第一互连结构和该第二互连结构分别的接触电阻。

9.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成一层间介电质覆盖于一第一源/漏极结构和一第二源/漏极结构上，该第一源/漏极结构与该第二源/漏极结构沿着一第一横向方向彼此隔开；

在该层间介电质上形成一图案化结构，其中该图案化结构沿着该第一横向方向位于该第一源/漏极结构与该第二源/漏极结构之间；

夹住该图案化结构沿着与该第一横向方向垂直的一第二横向方向的末端部分；

缩小该图案化结构沿着该第一横向方向延伸的宽度；以及

基于具有缩小的宽度的该图案化结构蚀刻该层间介电质以形成分别暴露出该第一源/漏极结构和该第二源/漏极结构的多个接触孔洞，因此缩短所述接触孔洞分别通过该层间介电质隔开的内侧壁之间的距离。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，夹住该图案化结构的末端部分的步骤还包括：

在该层间介电质上沉积至少一个成像层；以及

在该至少一个成像层内形成一沟槽，该沟槽沿着该第一横向方向延伸且暴露出该图案化结构的一中央部分，同时使用该至少一个成像层的一剩余部分夹住该图案化结构的末端部分。