[发明专利]一种电极结构、太阳能电池及其制作方法有效
申请号: | 202110459124.6 | 申请日: | 2021-04-27 |
公开(公告)号: | CN113284958B | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 申盼;吕俊;朱琛;陈健生;杨飞;申品文;张世查 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/18 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 付珍;王胜利 |
地址: | 225300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电极 结构 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
本发明公开一种电极结构、太阳能电池及其制作方法,涉及光伏技术领域,以提高电极结构与电池基底的结合性能。该电极结构应用于太阳能电池。电极结构包括第一电极层、保护层和第二电极层。第一电极层用于形成在电池基底上;保护层至少覆盖在第一电极层上,用于将第一电极层封盖在电池基底上;第二电极层位于保护层上,第二电极层穿过保护层,并与第一电极层电接触。本发明提供的电极结构、太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。
技术领域
本发明涉及光伏技术领域,尤其涉及一种电极结构、太阳能电池及其制作方法。
背景技术
太阳能电池的电极,可以通过丝网印刷工艺和烧结工艺制作在电池基底上。
但是,现有的丝网印刷工艺所制作的电极结构,与电池基底的粘结力较差,容易出现拉力不足,剥落等问题,在后续焊接工艺中,也容易出现焊接稳定性差的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电极结构、太阳能电池及其制作方法,以提高电极结构与电池基底的结合性能。
第一方面,本发明提供一种电极结构。该电极结构应用于太阳能电池。该电极结构包括第一电极层、保护层和第二电极层。第一电极层用于形成在电池基底上;保护层至少覆盖在第一电极层上,用于将第一电极层封盖在电池基底上;第二电极层位于保护层上,第二电极层穿过保护层,并与第一电极层电接触。
采用上述技术方案时,电极结构具有第一电极层、第二电极层以及至少覆盖在第一电极层上的保护层。该保护层可以将第一电极层封盖在电池基底上。在保护层的封盖下,第一电极层可以与电池基底紧密接触,进而可以避免第一电极层拉力不足和剥落的问题。此时,保护层可以提高第一电极层与电池基底之间的结合性能以及电接触性能。与此同时,与第一电极层电接触的第二电极层可以导出第一电极层的电流。第二电极层与第一电极层均为电极材料,两者具有相同或相近的组分,使得第二电极层与第一电极层之间具有较好的相容性,继而可以使第二电极层较为牢固的粘接在第一电极层上。综上可知,第一电极层与电池基底之间,第二电极层与第一电极层之间均具有较好的结合性能。可见,本发明的电极结构与电池基底之间具有较好的结合性能和电接触性能;并且,在后续互连焊接工艺中,可以避免焊接造成的电极结构与电池基底之间的分离,提高焊接稳定性。
在一些实现方式中,上述第一电极层包括与第二电极层电接触的主栅。此时,第二电极层可以通过主栅将第一电极层收集的电流导出。上述第二电极层在第一电极层的正投影至少覆盖第一电极层的主栅的一部分。此时,第二电极层可以具有较小的面积,进而减少对太阳光的反射,减少第二电极层耗费的电极材料,从而可以确保光吸收率,降低成本。
在一些实现方式中,上述保护层为沉积膜。沉积膜为采用沉积工艺制作的薄膜。当保护层为沉积膜时,保护层以分子结构的形式层层堆积生长在电池基底和第一电极层上。此时,保护层靠近电池基底的分子层均可以与电池基底及第一电极层相结合,相对于印刷来说,沉积膜与电池基底的结合性能较好。
在一些实现方式中,上述保护层用于覆盖电池基底的表面。此时,保护层的一部分封盖在第一电极层上;另一部分直接与电池基底接触,提供封盖第一电极的分子拉力。当保护层覆盖电池基底的表面时,保护层对第一电极层可以提供较大的封盖作用力,从而可以较好的封盖第一电极层。
在一些实现方式中,上述保护层具有至少一组通孔。第二电极层包括焊盘结构以及位于相应组通孔的连接部,每个焊盘结构通过相应组通孔内的连接部与第一电极层电接触。此时,第一电极层的局部位置通过连接部与第二电极层电接触,第一电极层的其余部位被保护层封盖。第一电极层既可以实现电流的高效传输,又可以与电池基底紧密接触。
在一些实现方式中,每组通孔的数量至少为一个。此时,一个焊盘结构通过一组连接部,也就是至少一个连接部与第一电极层电接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的