[发明专利]一种电极结构、太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种电极结构，其特征在于，应用于太阳能电池，所述电极结构包括第一电极层、保护层和第二电极层；

所述第一电极层用于形成在电池基底上；

所述保护层至少覆盖在所述第一电极层上，用于将所述第一电极层封盖在所述电池基底上；

所述第二电极层位于所述保护层上，所述第二电极层穿过所述保护层，并与所述第一电极层电接触；所述第一电极层包括细栅与所述第二电极层电接触的主栅；所述第二电极层在所述第一电极层的正投影至少覆盖所述第一电极层的主栅的一部分；所述主栅具有焊接点，所述第二电极层在所述第一电极层的正投影仅覆盖所述第一电极层主栅焊接点；所述第一电极层采用印刷第一电极浆料工艺形成，所述第二电极层采用印刷第二电极浆料工艺形成；所述第一电极浆料的粘度小于所述第二电极浆料的粘度。

2.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述保护层为沉积膜，所述保护层覆盖所述电池基底的表面。

3.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述保护层具有至少一组通孔，所述第二电极层包括焊盘结构以及位于相应组所述通孔的连接部，每个所述焊盘结构通过相应组所述通孔内的连接部与所述第一电极层电接触；

每组所述通孔的数量至少为一个。

4.根据权利要求3所述的电极结构，其特征在于，每组所述通孔的数量至少为3个；当一组通孔的数量为多个时，多个通孔阵列化排布。

5.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述保护层的材料为透明材料；和/或，所述保护层的材料折射率为1.7～1.8；和/或，所述保护层的材料为Si₃N₄、TiO₂或MgF₂；和/或，所述保护层的厚度为70nm～80nm。

6.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池具有权利要求1～5任一项所述的电极结构。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括电池基底，所述电池基底包括晶体硅片、分别位于晶体硅片两侧的第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层、位于第一本征非晶硅层上的第一掺杂类型非晶硅层、位于第二本征非晶硅层上的第二掺杂类型非晶硅层、位于第一掺杂类型非晶硅层上的第一透明导电层以及位于第二掺杂类型非晶硅层上的第二透明导电层。

8.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供一电池基底；

在所述电池基底上形成第一电极层；

在所述第一电极层上形成至少覆盖在所述第一电极层上的保护层，所述保护层将所述第一电极层封盖在所述电池基底上；

在所述保护层上形成第二电极层，所述第二电极层穿过所述保护层，并与所述第一电极层电接触；所述第一电极层包括细栅与所述第二电极层电接触的主栅；所述第二电极层在所述第一电极层的正投影至少覆盖所述第一电极层的主栅的一部分；所述主栅具有焊接点，所述第二电极层在所述第一电极层的正投影仅覆盖所述第一电极层主栅焊接点；所述第一电极层采用印刷第一电极浆料工艺形成，所述第二电极层采用印刷第二电极浆料工艺形成；所述第一电极浆料的粘度小于所述第二电极浆料的粘度。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述电池基底包括晶体硅片、分别位于晶体硅片两侧的第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层、位于第一本征非晶硅层上的第一掺杂类型非晶硅层、位于第二本征非晶硅层上的第二掺杂类型非晶硅层、位于第一掺杂类型非晶硅层上的第一透明导电层以及位于第二掺杂类型非晶硅层上的第二透明导电层。

10.根据权利要求8或9所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一电极浆料的粘度小于所述第二电极浆料的粘度；和/或，

所述保护层的形成方式为沉积。