[发明专利]一种半导体新材料制备用萃取比重调和设备

说明书

本发明公开了一种半导体新材料制备用萃取比重调和设备，其结构包括电机、调配罐、支架、出料管，电机竖直连接于调配罐上端，调配罐焊接连接于支架之间，出料管嵌固连接于调配罐下端；调配罐由加热器、搅拌舱、搅拌杆、隔框组成，加热器嵌固连接于搅拌舱上方左右两侧，搅拌杆活动卡合于搅拌舱中部，隔框与加热器为一体化结构，当加热过程中水蒸汽上升时会接触到拦截装置，其膨胀块受热会向左右两侧膨胀，在膨胀时凸起块会接触到顶块，而后慢慢向凹陷槽处靠近，促使顶块的球形端贴合于内侧慢慢偏移，随着顶块偏移的过程中会带动海绵垫在滑槽的限定下进行滑动，向外展开成平面状，对水蒸汽进行吸收，防止进入到连接隔层处。

技术领域

本发明属于半导体新材料制备领域，更具体地说，尤其是涉及到一种半导体新材料制备用萃取比重调和设备。

背景技术

萃取比重调和设备是一种用于萃取操作的传质设备，能够实现料液所含组分的完善分离，在半导体新材料的制备过程中，通过将原料放入设备内，在加热的过程中不停的翻转分离材料中的杂质，达到分离提纯的效果。

基于上述本发明人发现，现有的主要存在以下几点不足，比如：当设备对半导体新材料进行萃取时，由于设备在通过加热装置对材料溶液进行加热蒸发时，其部分水蒸气在上升过程中会进入到加热装置内的连接隔层里，不断汇聚成水滴附着于连接隔层内，导致在萃取完成后低温冷却时，其加热装置内的水滴会顺着缝隙缓慢滑落到设备内，重新与溶液混合，从而会影响萃取后材料的纯度。

因此需要提出一种半导体新材料制备用萃取比重调和设备。

发明内容

为了解决上述技术的问题。

本发明一种半导体新材料制备用萃取比重调和设备的目的与功效，由以下具体技术手段所达成：其结构包括电机、调配罐、支架、出料管，所述电机竖直连接于调配罐上端，所述调配罐焊接连接于支架之间，所述出料管嵌固连接于调配罐下端；所述调配罐由加热器、搅拌舱、搅拌杆、隔框组成，所述加热器嵌固连接于搅拌舱上方左右两侧，所述搅拌杆活动卡合于搅拌舱中部，所述隔框与加热器为一体化结构。

其中，所述隔框由收集装置、外框、连接层、拦截装置组成，所述收集装置嵌固连接于外框下端，所述连接层位于拦截装置上端，所述拦截装置活动卡合于收集装置上方，所述拦截装置呈三角状，同时内侧分布有海绵垫。

其中，所述拦截装置由嵌连板、流动框、吸附板、引导块组成，所述嵌连板铆合连接于流动框内侧，所述吸附板活动卡合于嵌连板外侧，所述引导块位于吸附板下端，所述吸附板设有六个，安装于嵌连板内的不同位置，表面设有孔洞。

其中，所述吸附板由海绵垫、顶块、半圆板、膨胀块、滑槽组成，所述海绵垫活动卡合于滑槽内侧，所述顶块位于膨胀块左右两侧，所述膨胀块竖直连接于半圆板上端中部，所述滑槽嵌固连接于半圆板内侧，所述顶块设有两个，对称安装于膨胀块左右两侧，且质地较为坚硬。

其中，所述膨胀块由凹陷槽、扩张片、凸起块组成，所述凹陷槽嵌固连接于扩张片左右两侧，所述凸起块活动卡合于凹陷槽外侧，所述凸起块表面较为粗糙，且内侧为镂空状。

其中，所述收集装置由隔挡件、支撑块、堆积槽、汇集块组成，所述隔挡件嵌固连接于支撑块之间，所述支撑块位于堆积槽上端，所述汇集块焊接连接于支撑块上端，所述汇集块倾斜一定的角度向中部聚拢，且表面较为光滑。

其中，所述隔挡件由摆动板、内层、粘贴块、弹簧组成，所述摆动板活动卡合于内层内侧，所述粘贴块位于摆动板下端，所述弹簧螺纹连接于摆动板外侧，所述摆动板设有两个，呈三角状安装于内层内侧。

其中，所述粘贴块由嵌固框、三角块、磁块组成，所述嵌固框与三角块为一体化结构，所述磁块活动卡合于嵌固框内侧，所述磁块表面较为突出，且为磁性材料。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：