[发明专利]一种半导体新材料制备用萃取比重调和设备

权利要求书

1.一种半导体新材料制备用萃取比重调和设备，其结构包括电机(1)、调配罐(2)、支架(3)、出料管(4)，所述电机(1)竖直连接于调配罐(2)上端，所述调配罐(2)焊接连接于支架(3)之间，所述出料管(4)嵌固连接于调配罐(2)下端；其特征在于：

所述调配罐(2)由加热器(21)、搅拌舱(22)、搅拌杆(23)、隔框(24)组成，所述加热器(21)嵌固连接于搅拌舱(22)上方左右两侧，所述搅拌杆(23)活动卡合于搅拌舱(22)中部，所述隔框(24)与加热器(21)为一体化结构。

2.根据权利要求1所述的一种半导体新材料制备用萃取比重调和设备，其特征在于：所述隔框(24)由收集装置(241)、外框(242)、连接层(243)、拦截装置(244)组成，所述收集装置(241)嵌固连接于外框(242)下端，所述连接层(243)位于拦截装置(244)上端，所述拦截装置(244)活动卡合于收集装置(241)上方。

3.根据权利要求2所述的一种半导体新材料制备用萃取比重调和设备，其特征在于：所述拦截装置(244)由嵌连板(441)、流动框(442)、吸附板(443)、引导块(444)组成，所述嵌连板(441)铆合连接于流动框(442)内侧，所述吸附板(443)活动卡合于嵌连板(441)外侧，所述引导块(444)位于吸附板(443)下端。

4.根据权利要求3所述的一种半导体新材料制备用萃取比重调和设备，其特征在于：所述吸附板(443)由海绵垫(431)、顶块(432)、半圆板(433)、膨胀块(434)、滑槽(435)组成，所述海绵垫(431)活动卡合于滑槽(435)内侧，所述顶块(432)位于膨胀块(434)左右两侧，所述膨胀块(434)竖直连接于半圆板(433)上端中部，所述滑槽(435)嵌固连接于半圆板(433)内侧。

5.根据权利要求4所述的一种半导体新材料制备用萃取比重调和设备，其特征在于：所述膨胀块(434)由凹陷槽(341)、扩张片(342)、凸起块(343)组成，所述凹陷槽(341)嵌固连接于扩张片(342)左右两侧，所述凸起块(343)活动卡合于凹陷槽(341)外侧。

6.根据权利要求2所述的一种半导体新材料制备用萃取比重调和设备，其特征在于：所述收集装置(241)由隔挡件(411)、支撑块(412)、堆积槽(413)、汇集块(414)组成，所述隔挡件(411)嵌固连接于支撑块(412)之间，所述支撑块(412)位于堆积槽(413)上端，所述汇集块(414)焊接连接于支撑块(412)上端。

7.根据权利要求6所述的一种半导体新材料制备用萃取比重调和设备，其特征在于：所述隔挡件(411)由摆动板(111)、内层(112)、粘贴块(113)、弹簧(114)组成，所述摆动板(111)活动卡合于内层(112)内侧，所述粘贴块(113)位于摆动板(111)下端，所述弹簧(114)螺纹连接于摆动板(111)外侧。

8.根据权利要求7所述的一种半导体新材料制备用萃取比重调和设备，其特征在于：所述粘贴块(113)由嵌固框(131)、三角块(132)、磁块(133)组成，所述嵌固框(131)与三角块(132)为一体化结构，所述磁块(133)活动卡合于嵌固框(131)内侧。