[发明专利]一种耐磨防滑半导体新材料制备设备在审
申请号: | 202110457885.8 | 申请日: | 2021-04-27 |
公开(公告)号: | CN113305674A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 林丽坪 | 申请(专利权)人: | 林丽坪 |
主分类号: | B24B9/06 | 分类号: | B24B9/06;B24B7/22;B24B7/06;B24B41/00;B24B55/06;H01L21/67 |
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地址: | 351148 福建省莆*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 耐磨 防滑 半导体 新材料 制备 设备 | ||
本发明公开了一种耐磨防滑半导体新材料制备设备,其结构包括支架、控制台、输送台、毛刷,控制台底部焊接在支架靠近背面的顶部位置,输送台设在控制台前方,由于硅晶板表面的毛刺掉落在转动杆表面,少部分残留在转动杆外壁,通过清除机构与转动杆活动配合,清除块将转动杆外壁的毛刺清除,并收集在收集块内部,能够减少毛刺残留在转动杆外壁,减小转动杆与硅晶板底面的摩擦力,减少硅晶板底面出现划痕,有利于硅晶板正常使用,由于毛刺为蓬松状,堆积在收集块时,导致收集块内部的容积减小,通过在收集块内部设有推板,通过推板上下摆动将收集块内部的毛刺撞击压实,能够增大收集块内部的容积,增大收集块对毛刺收集的量。
技术领域
本发明属于半导体新材料制备领域,更具体的说,尤其涉及到一种耐磨防滑半导体新材料制备设备。
背景技术
由于半导体材料的导电性可控,且种类多样,其中硅晶板便是半导体材料一种,常将硅材料加工制备成为硅晶板使用,对体积较大的硅晶板切割后,硅晶板表面存在毛刺,通过抛光机对硅晶板表面的毛刺抛光处理,转动杆不断转动将硅晶板往前输送,使得毛刷不断与硅晶板表面接触将毛刺清除;现有技术中采用抛光机对硅晶板抛光处理时,由于硅晶板表面的毛刺掉落在转动杆表面,少部分残留在转动杆外壁,当硅晶板的底面为光滑的表面时,硅晶板底面与转动杆配合摩擦,导致硅晶板底面出现划痕的现象,而底面不完整,影响硅晶板的正常使用。
发明内容
为了解决上述技术采用抛光机对硅晶板抛光处理时,由于硅晶板表面的毛刺掉落在转动杆表面,少部分残留在转动杆外壁,当硅晶板的底面为光滑的表面时,硅晶板底面与转动杆配合摩擦,导致硅晶板底面出现划痕的现象,而底面不完整,影响硅晶板的正常使用,本发明提供一种耐磨防滑半导体新材料制备设备。
为了实现上述目的,本发明是通过如下的技术方案来实现:一种耐磨防滑半导体新材料制备设备,其结构包括支架、控制台、输送台、毛刷,所述控制台底部焊接在支架靠近背面的顶部位置,所述输送台设在控制台前方,所述毛刷背端与控制台正面中部活动配合。
所述输送台包括侧板、转动杆、清除机构,所述转动杆两端与侧板内侧表面铰链连接,所述清除机构位于转动杆下方。
作为本发明的进一步改进,所述清除机构包括收集块、接触板、衔接轴、支撑条,所述接触板底端通过衔接轴与收集块靠近左右两侧位置顶部铰链连接,所述支撑条安装在接触板外侧的表面,所述收集块上表面为凹陷的光滑弧面。
作为本发明的进一步改进,所述接触板包括清除块、支板、活动腔,所述支板顶端与清除块底面相连接,所述活动腔由外往内开设在支板左侧表面,所述清除块为海绵材质,所述活动腔设有三个。
作为本发明的进一步改进,所述活动腔包括套管、限位块、活动球、连接条,所述限位块分别与套管左端上下侧内壁连为一体,所述活动球位于限位块右侧,所述连接条左端安装在活动球中部,且右端与套管右侧内壁相连接,所述连接条为橡胶材质。
作为本发明的进一步改进,所述活动球包括球体、反弹杆、转动环,所述反弹杆内端固定在球体外壁,所述转动环中部与反弹杆外端铰链连接,所述反弹杆为橡胶材质。
作为本发明的进一步改进,所述收集块包括框架、开口、推板、推条,所述开口贯穿框架上表面中部位置及内壁之间,所述推板外端分别与框架靠近顶部的两侧内壁衔接连接,所述推条底端与推板上表面相连接,所述框架内部为空心结构,且内底部为凹陷的半圆槽。
作为本发明的进一步改进,所述推板包括板体、内腔、弹跳球、压块,所述内腔开设在板体内部,所述弹跳球设置在内腔内部,所述压块嵌套在板体底面位置,且夹在内腔之间,所述弹跳球设有三个。
作为本发明的进一步改进,所述压块包括块体、弹块、撞击块,所述弹块嵌套在块体底面位置,所述撞击块顶端与弹块底面相连接,所述撞击块为金属材质的三角块。
有益效果
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:
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