[发明专利]半导体装置与其制造方法

说明书

本公开涉及半导体装置与其制造方法。半导体装置包括第一源极/漏极结构，耦接至沿着第一方向延伸的第一导体通道的末端。半导体装置包括第二源极/漏极结构，耦接至沿着第一方向延伸的第二导体通道的末端。半导体装置包括第一内连线结构，延伸穿过层间介电层并电性耦接至第一源极/漏极结构。半导体装置包括第二内连线结构，延伸穿过层间介电层以电性耦接至第二源极/漏极结构。半导体装置包括第一隔离结构，位于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构之间，并延伸至层间介电层中。

技术领域

本公开实施例涉及半导体装置，更特别涉及晶体管装置所用的内连线结构。

背景技术

半导体集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作制程所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的制程通常有利于增加产能并降低相关成本。尺寸缩小亦增加集成电路结构(如三维晶体管)与制程的复杂度。为实现这些进展，集成电路的处理与制造需要类似发展。举例来说，当装置尺寸持续缩小，场效晶体管的装置效能(如与多种缺陷相关的装置效能劣化)与制作成本面临更多挑战。虽然解决这些挑战的方法通常适用，但无法完全符合所有方面的需求。

发明内容

本公开一实施例公开半导体装置。半导体装置包括第一源极/漏极结构，耦接至沿着第一方向延伸的第一导体通道的末端。半导体装置包括第二源极/漏极结构，耦接至沿着第一方向延伸的第二导体通道的末端。半导体装置包括第一内连线结构，延伸穿过层间介电层并电性耦接至第一源极/漏极结构。半导体装置包括第二内连线结构，延伸穿过层间介电层以电性耦接至第二源极/漏极结构。半导体装置包括第一隔离结构，位于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构之间，并延伸至层间介电层中。

本公开另一实施例公开制造半导体装置的方法。方法包括形成第一沟槽以至少部分地延伸穿过覆盖第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构的层间介电层。第一沟槽位于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构之间。方法包括将介电材料填入第一沟槽，以形成第一隔离结构。方法包括形成第一内连线结构与第二内连线结构以分别电性耦接至第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构。第一隔离结构使第一内连线结构与第二内连线结构彼此电性隔离。

本公开又一实施例公开半导体装置的制造方法。方法包括形成介电隔离结构以延伸穿过覆盖第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构的层间介电层。介电隔离结构位于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构之间。方法包括以抗蚀刻材料覆盖介电隔离结构的上表面。方法包括蚀刻层间介电层以形成多个接点孔而分别露出第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构，并以抗蚀刻材料保护介电隔离结构。方法包括将金属材料填入接点孔，以分别形成电性耦接至第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构的第一内连线结构与第二内连线结构。介电隔离结构使第一内连线结构与第二内连线结构彼此电性隔离。

附图说明

图1是一些实施例中，鳍状场效晶体管装置的透视图。

图2是一些实施例中，晶体管装置所用的内连线结构的制造方法的流程图。

图3A、图3B、图4A、图4B、图5A、图5B、图5C、图5D、图6A、图6B、图6C、图6D、图7A、图7B、图7C、图7D、图8A、图8B、图8C、图8D、图9A、图9B、图9C、图9D、图10A、图10B、图10C、及图10D是一些实施例中，以图2的方法制造的鳍状场效晶体管装置在多种制作阶段时的剖视图。

图8E是一些实施例中，对应图8A至图8D的鳍状场效晶体管的上视图。

图11是一些实施例中，晶体管装置所用的内连线结构的制造方法的流程图。

图12A、图12B、图13A、图13B、图14A、图14B、图15A、图15B、图16A、及图16B是一些实施例中，以图11的方法制造的鳍状场效晶体管装置在多种制作阶段时的剖视图。