[发明专利]半导体装置与其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一第一源极/漏极结构，耦接至沿着一第一方向延伸的一第一导体通道的末端；

一第二源极/漏极结构，耦接至沿着该第一方向延伸的一第二导体通道的末端；

一第一内连线结构，延伸穿过一层间介电层并电性耦接至该第一源极/漏极结构；

一第二内连线结构，延伸穿过该层间介电层以电性耦接至该第二源极/漏极结构；以及

一第一隔离结构，位于该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构之间，并延伸至该层间介电层中。

2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括一第二隔离结构于该第一导体通道与该第二导体通道之下。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，该第一隔离结构的下表面与该第二隔离结构的上表面齐平。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，该第一隔离结构的下表面高于或低于该第二隔离结构的上表面。

5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括一气隙位于该第一隔离结构与该第一内连线结构及该第二内连线结构的每一者之间。

6.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成一第一沟槽以至少部分地延伸穿过覆盖一第一源极/漏极结构与一第二源极/漏极结构的一层间介电层，其中该第一沟槽位于该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构之间；

将一介电材料填入该第一沟槽，以形成一第一隔离结构；以及

形成一第一内连线结构与一第二内连线结构以分别电性耦接至该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构，其中该第一隔离结构使该第一内连线结构与该第二内连线结构彼此电性隔离。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，还包括：

将该第一隔离结构的上侧部分置换成一抗蚀刻材料，且该抗蚀刻材料与该层间介电层的蚀刻选择性不同；

蚀刻该层间介电层以形成多个接点孔而分别露出该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构，而采用该抗蚀刻材料的该第一隔离结构维持实质上完整；

将一金属材料填入所述接点孔，以形成该第一内连线结构与该第二内连线结构；以及

自该第一隔离结构移除该抗蚀刻材料。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，填入所述接点孔的步骤之前还包括：

形成一牺牲层，以沿着该第一隔离结构的每一侧壁延伸；以及

形成相同的该介电材料的一层，以沿着该牺牲层的每一侧壁延伸。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，填入该接点孔的步骤之后还包括：

移除该牺牲层以形成一气隙，且该气隙沿着该第一隔离结构的每一侧壁延伸；以及

密封该气隙。

10.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成一介电隔离结构以延伸穿过覆盖一第一源极/漏极结构与一第二源极/漏极结构的一层间介电层，其中该介电隔离结构位于该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构之间；

以一抗蚀刻材料覆盖该介电隔离结构的上表面；

蚀刻该层间介电层以形成多个接点孔而分别露出该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构，并以该抗蚀刻材料保护该介电隔离结构；以及

将一金属材料填入所述接点孔，以分别形成电性耦接至该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构的一第一内连线结构与一第二内连线结构，其中该介电隔离结构使该第一内连线结构与该第二内连线结构彼此电性隔离。