[发明专利]一种单晶硅生产设备有效
申请号: | 202110456606.6 | 申请日: | 2021-04-27 |
公开(公告)号: | CN113151892B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 陈立民;赵亮;陈丽芳;王泽东;姜君 | 申请(专利权)人: | 曲靖阳光新能源股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06;C30B15/20 |
代理公司: | 北京华仁联合知识产权代理有限公司 11588 | 代理人: | 李冰 |
地址: | 655000 云南*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 生产 设备 | ||
本发明涉及一种单晶硅生产设备,其中,直拉单晶用热屏装置包括:内层隔热筒;外层隔热筒,所述外层隔热筒围绕设置在所述内层隔热筒外侧;热反射片,所述热反射片固定连接在所述外层隔热筒内侧周壁上;隔热垫,所述隔热垫固定安装在所述内层隔热筒和所述热反射片之间;其中单晶硅生产设备包括:炉体;坩埚,所述坩埚安装在所述炉体内底壁上,所述坩埚底部安装有旋转装置;热屏装置,所述热屏装置用于单晶硅生产过程中的热屏蔽;充气装置,所述充气装置用于往炉体内充入气体;直拉装置,所述直拉装置用于单晶硅的直拉生长。通过上述结构的设计,能增大纵向温度梯度,提高单晶硅的生长速度,从而提高单晶硅的产量和生产效率。
技术领域
本发明涉及单晶硅生产技术领域,更具体地说,本发明涉及一种单晶硅生产设备。
背景技术
硅单晶的生长是在真空工作室内将多晶原材料放入坩埚中,通过加热器将原材料熔化,然后通过籽晶引导、向上提拉方法生长出理想的硅单晶。现有的直拉式硅单晶生长炉,由于缺少屏蔽热量的装置导致形成的单晶硅不能快速冷却,影响了单晶硅的生长速度,降低了工作效率。因此需要提出一种单晶硅生产设备以解决上述问题。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种直拉单晶用热屏装置,
所述热屏装置包括:
内层隔热筒;
外层隔热筒,所述外层隔热筒围绕设置在所述内层隔热筒外侧;
热反射片,所述热反射片固定连接在所述外层隔热筒内侧周壁上;
隔热垫,所述隔热垫固定安装在所述内层隔热筒和所述热反射片之间。
作为本发明的一种改进,所述热反射片由钼材料制成。
一种单晶硅生产设备,包括:炉体,所述炉体内部设置为空腔,所述炉体外壁固定连接有控制装置;
坩埚,所述坩埚安装在所述炉体内底壁上,所述坩埚底部安装有旋转装置,所述旋转装置用于带动坩埚旋转;
所述热屏装置安装在所述炉体内,所述热屏装置位于所述坩埚上侧,所述热屏装置用于单晶硅生产过程中的热屏蔽;
充气装置,所述充气装置安装在所述炉体上,所述充气装置与所述控制装置电连接,所述充气装置用于往炉体内充入气体;
直拉装置,所述直拉装置安装在所述炉体上,所述直拉装置与所述控制装置电连接,所述直拉装置用于单晶硅的直拉生长。
作为本发明的一种改进,所述坩埚内装有硅熔体。
作为本发明的一种改进,所述内层隔热筒固定安装在所述炉体内顶壁上,所述内层隔热筒位于所述坩埚上侧;所述外层隔热筒固定安装在所述炉体内顶壁上。
作为本发明的一种改进,所述炉体内底壁固定连接有隔热箱、加热环,所述隔热箱内侧壁固定连接有保温垫,所述加热环设置在所述保温垫内侧,所述加热环与所述控制装置电连接,所述坩埚位于所述加热环内侧,所述热屏装置设置在所述隔热箱上方,所述隔热箱顶端开设有与所述热屏装置连通的敞口。
作为本发明的一种改进,所述充气装置包括:
储气箱,所述储气箱与所述炉体通过进气管连接,所述进气管上安装有电磁阀,所述电磁阀与所述控制装置电连接;
抽气泵,所述抽气泵固定安装在所述炉体顶端,所述抽气泵与所述控制装置电连接,所述抽气泵与所述炉体通过抽气管连接,所述抽气管延伸至所述炉体内侧。
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