[发明专利]一种抗静电的AR膜及其制备方法

说明书

本发明公开了一种抗静电的AR膜及其制备方法，包括基材层，所述基材层的双面通过涂布工艺分别设有上底涂层和下底涂层，所述上底涂层和下底涂层上通过涂布工艺分别设有上IM层和下IM层，所述上IM层上通过涂布工艺设有AR树脂层，所述AR树脂层上通过磁控溅射工艺镀设有上镀层，所述上镀层上贴设有上CPP保护膜，所述下IM层上通过磁控溅射工艺镀设有下镀层，所述下镀层上贴设有下CPP保护膜，可将基材透过率从89%提高到99%以上，并且可以广泛适用于各种PET基材以及玻璃基材上，表面阻抗达到10+6ohm，抗静电果佳效。

技术领域

本发明涉及一种抗静电的AR膜及其制备方法。

背景技术

目前人们发现、常用的材料有氟化镁、二氧化钛、二氧化硅、三氧化二铝、二氧化锆、ZnSe、ZnS陶瓷红外光红外增透膜、乙烯基倍半硅氧烷杂化膜等。

由于一般光学介质都是玻璃，并在空气中使用，那增透膜的折射率应接近1.23。现实中折射率小于氟化镁（折射率为1.38）的镀膜材料很少见，而且像氟化镁那样很好的满足各种条件的材料更是稀少。因此，现在一般都用氟化镁镀制增透膜。

发明内容

本发明需要解决的技术问题是提供一种抗静电的AR膜。

为了解决上述技术问题，本发明提供的技术方案是：一种抗静电的AR膜，一种抗静电的AR膜，包括基材层，所述基材层的双面通过涂布工艺分别设有上底涂层和下底涂层，所述上底涂层和下底涂层上通过涂布工艺分别设有上IM层和下IM层，所述上IM层上通过涂布工艺设有AR树脂层，所述AR树脂层上通过磁控溅射工艺镀设有上镀层，所述上镀层上贴设有上CPP保护膜，所述下IM层上通过磁控溅射工艺镀设有下镀层，所述下镀层上贴设有下CPP保护膜。

在某些实施方式中，所述基材层为PET层，PC层或者TAC层，所述基材层的厚度为50um、100um、125um或者188um，透光率在90%以上。

在某些实施方式中，所述AR树脂层的厚度80-90nm，折射率为1.34。

在某些实施方式中，所述上镀层为ITO层,AZO层或者ZnO层,阻抗10+6ohm到10+8ohm，厚度为0.5-4nm。

本发明解决的又一技术问题是提供一种制备抗静电的AR膜的方法。

为了解决上述技术问题，本发明提供的技术方案是：一种制备抗静电的AR膜的方法，包括以下步骤：

步骤一：在所述基材层的上表面上通过涂布工艺涂设所述上底涂层；

步骤二：在所述基材层的下表面上通过涂布工艺涂设所述下底涂层；

步骤三：在所述上底涂层上通过涂布工艺涂设所述上IM层；

步骤四：在所述下底涂层上通过涂布工艺涂设所述下IM层；

步骤五：在所述上IM层上通过通过涂布工艺涂设所述AR树脂层；

步骤六：在所述AR树脂层上通过磁控溅射工艺镀设有上镀层；

步骤七：在所述上镀层上贴覆所述上CPP保护膜；

步骤八：在下IM层上通过磁控溅射工艺镀设有下镀层；

步骤九：在所述下镀层上贴覆所述下CPP保护膜，制作完成。

本发明的范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的（但不限于）具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案等。

由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：

（1）本发明提供的一种抗静电的AR膜可将基材透过率从89%提高到99%以上，并且可以广泛适用于各种PET基材以及玻璃基材上。

（2）本发明提供的一种抗静电的AR膜表面阻抗达到10+6ohm，抗静电效果佳。