[发明专利]一种抗静电的AR膜及其制备方法

权利要求书

1.一种抗静电的AR膜，包括基材层（10），其特征在于：所述基材层（10）的双面通过涂布工艺分别设有上底涂层（11）和下底涂层（16），所述上底涂层（11）和下底涂层（16）上通过涂布工艺分别设有上IM层（12）和下IM层（17），所述上IM层（12）上通过涂布工艺设有AR树脂层（13），所述AR树脂层（13）上通过磁控溅射工艺镀设有上镀层（14），所述上镀层（14）上贴设有上CPP保护膜（15），所述下IM层（17）上通过磁控溅射工艺镀设有下镀层（18），所述下镀层（18）上贴设有下CPP保护膜（19）。

2.根据权利要求1所述的一种抗静电的AR膜，其特征在于：所述基材层（10）为PET层，PC层或者TAC层，所述基材层（10）的厚度为50um、100um、125um或者188um，透光率在90%以上。

3.根据权利要求1所述的一种抗静电的AR膜，其特征在于：所述AR树脂层（13）的厚度80-90nm，折射率为1.34。

4.根据权利要求1所述的一种抗静电的AR膜，其特征在于：所述上镀层（14）为ITO层,AZO层或者ZnO层,阻抗10+6ohm到10+8ohm，厚度为0.5-4nm。

5.一种制备权利要求1-4所述一种抗静电的AR膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一：在所述基材层（10）的上表面上通过涂布工艺涂设所述上底涂层（11）；

步骤二：在所述基材层（10）的下表面上通过涂布工艺涂设所述下底涂层（16）；

步骤三：在所述上底涂层（11）上通过涂布工艺涂设所述上IM层（12）；

步骤四：在所述下底涂层（16）上通过涂布工艺涂设所述下IM层（17）；

步骤五：在所述上IM层（12）上通过通过涂布工艺涂设所述AR树脂层（13）；

步骤六：在所述AR树脂层（13）上通过磁控溅射工艺镀设有上镀层（14）；

步骤七：在所述上镀层（14）上贴覆所述上CPP保护膜（15）；

步骤八：在下IM层（17）上通过磁控溅射工艺镀设有下镀层（18）；

步骤九：在所述下镀层（18）上贴覆所述下CPP保护膜（19），制作完成。