[发明专利]一种有机发光二极管器件的封装结构、显示装置及其封装方法在审
申请号: | 202110455127.2 | 申请日: | 2021-04-26 |
公开(公告)号: | CN113193146A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 茆胜 | 申请(专利权)人: | 睿馨(珠海)投资发展有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 上海洞鉴知识产权代理事务所(普通合伙) 31346 | 代理人: | 刘少伟 |
地址: | 519000 广东省珠海市横琴新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光二极管 器件 封装 结构 显示装置 及其 方法 | ||
本发明涉及一种有机发光二极管器件的封装结构、显示装置及其封装方法,其封装结构包括:基板,设置有有机发光二极管器件;第一ALD层、第一无机介电层、第二ALD层,所述第一ALD层设置在所述基板上,所述第一无机介电层设置在所述第一ALD层上,所述第二ALD层设置在所述第一无机介电层上;所述第一ALD层、第二ALD层由铝、铪、钛,锆、硅的氧化物或者氮化物构成;所述第一无机介电层由金属氧化物、金属氮化物或金属氧氮化物通过溅射方式形成。有益效果是:本发明的封装结构含有至少两个氧化物或氮化物层,以及夹在中间的无机介电层,该种结构的结合,使得水氧封装结构中的渗透率非常低,提高了封装效果。
技术领域
本发明涉及二极管封装技术领域,尤其是涉及一种有机发光二极管器件的封装结构、显示装置及其封装方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)器件通常是在衬底上形成的若干薄膜层堆栈结构。在堆栈结构中,有机发光层以及相邻的半导体层夹在阴极和阳极之间。任何层,特别是发光层,可以由多个子层组成。在典型的OLED中,阴极或阳极都是透明的,这些堆栈结构薄膜层可以通过蒸发、旋涂、以及其他合适的聚合物薄膜形成技术或化学自组装方式形成。厚度通常从几百到几千埃不等。OLED材料对水氧组分极为敏感,容易受到水氧组分的破坏,大大缩短有机发光二极管(OLED)器件的使用寿命。因此,改进密封工艺对实际生产具有重要意义。
目前,有机电致发光器件的水氧防护可以通过薄膜封装(TFE)来实现。薄膜封装(TFE)由于其透明特性,用于顶发射有机发光二极管(OLED)器件的水氧防护。目前有多种薄膜封装方法。其中一种方法是使用无机层和有机层交替多层叠层结构封装有机发光二极管(OLED)器件。该封装结构中包含了不同的层,但是每一层对环境都有一定程度的渗透性。因此,该封装结构的有效性和可靠性都待提高。而底发射有机发光二极管(OLED)器件中,是将OLED夹在玻璃或金属盖板之间,并用环氧树脂密封边缘,且干燥剂也需要同样密封在其中。而在顶发射有机发光二极管(OLED)器件中,光需要穿过透明封装层,因此没有使用干燥剂的空间。
发明内容
本发明提供一种有机发光二极管器件的封装结构、显示装置及其封装方法,以解决现有技术中水氧在封装结构中具有一定渗透率以及顶发射有机发光二极管器件的封装的问题。
一种有机发光二极管器件的封装结构,包括:
基板,设置有有机发光二极管(OLED)器件;
第一ALD层、第一无机介电层、第二ALD层,所述第一ALD层设置在所述基板上,所述第一无机介电层设置在所述第一ALD层上,所述第二ALD层设置在所述第一无机介电层上;所述第一ALD层、第一无机介电层、第二ALD层为一组封装;
所述第一ALD层、第二ALD层由铝(Al)、铪(Hf)、钛(Ti),锆(Zr)、硅(Si)的氧化物或者氮化物构成;
所述第一无机介电层由金属氧化物、金属氮化物或金属氧氮化物通过溅射方式形成。
在一些实施例中,所述第一ALD层、第二ALD层的材料相同。
在一些实施例中,所述第一ALD层、第二ALD层的材料不同。
在一些实施例中,所述第一ALD层、第二ALD层均为A12O3层。
在一些实施例中,所述第一无机介电层为SiO2层。
在一些实施例中,所述一组封装大于等于2。
在一些实施例中,所述一组封装中进行应力补偿。
在一些实施例中,所述第一ALD层具有拉应力,所述第一无机介电层具有压应力。
在一些实施例中,第一ALD层、第一无机介电层、第二ALD层均是透明的、无机的和介电的。
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