[发明专利]一种有机发光二极管器件的封装结构、显示装置及其封装方法在审
| 申请号： | 202110455127.2 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113193146A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 茆胜 | 申请（专利权）人： | 睿馨（珠海）投资发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 上海洞鉴知识产权代理事务所(普通合伙) 31346 | 代理人： | 刘少伟 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市横琴新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有机 发光二极管 器件 封装 结构 显示装置 及其 方法 | ||
1.一种有机发光二极管器件的封装结构，其特征在于，包括：
基板，设置有有机发光二极管器件；
第一ALD层、第一无机介电层、第二ALD层，所述第一ALD层设置在所述基板上，所述第一无机介电层设置在所述第一ALD层上，所述第二ALD层设置在所述第一无机介电层上；所述第一ALD层、第一无机介电层、第二ALD层为一组封装；
所述第一ALD层、第二ALD层由铝、铪、钛，锆、硅的氧化物或者氮化物构成；
所述第一无机介电层由金属氧化物、金属氮化物或金属氧氮化物通过溅射方式形成。
2.根据权利要求1所述的一种有机发光二极管器件的封装结构，其特征在于，在一些实施例中，所述第一ALD层、第二ALD层均为A12O3层。
3.根据权利要求1所述的一种有机发光二极管器件的封装结构，其特征在于，所述第一无机介电层为SiO2层。
4.根据权利要求1所述的一种有机发光二极管器件的封装结构，其特征在于，所述一组封装大于等于2。
5.根据权利要求1所述的一种有机发光二极管器件的封装结构，其特征在于，所述一组封装中进行应力补偿。
6.根据权利要求1所述的一种有机发光二极管器件的封装结构，其特征在于，所述第一ALD层具有拉应力，所述第一无机介电层具有压应力。
7.根据权利要求1所述的一种有机发光二极管器件的封装结构，其特征在于，第一ALD层、第一无机介电层、第二ALD层均是透明的、无机的和介电的。
8.一种有机发光二极管器件显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一权利要求所述的有机发光二极管器件的封装结构。
9.一种有机发光二极管器件的封装方法，其特征在于，包括：
提供设置有有机发光二极管器件的基底；
在所述基底上通过原子层沉积形成第一ALD层；
在所述第一ALD层上通过溅射形成第一无机介电层；
在所述第一无机介电层上通过原子层沉积形成第二ALD层，即得封装结构。
10.根据权利要求9所述的一种有机发光二极管器件的封装方法，其特征在于，在所述第二ALD层上通过原子层沉积形成第三ALD层，在所述第三ALD层上通过溅射形成第二无机介电层；在所述第二无机介电层上通过原子层沉积形成第三ALD层；该过程重复N次，所述N大于等于1。
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