[发明专利]一种去除光刻胶树脂中的金属杂质的方法

说明书

本发明实施例公开了一种去除光刻胶树脂中的金属杂质的方法，该方法包括：S1、对预置的离子交换树脂进行活化处理；S2、将活化后的离子交换树脂与光刻胶树脂反应液在反应瓶中进行混合搅拌，搅拌结束后对混合液中的离子交换树脂进行滤除；S3、对滤除离子交换树脂后的树脂溶液进行沉淀处理、固液分离以及烘干处理；S4、再次重复步骤S3，得到去除金属杂质后的光刻胶树脂。该方法通过采用活化后的离子交换树脂去除光刻胶树脂反应液中的金属杂质，然后将树脂溶液进行沉淀处理、固液分离以及烘干，烘干完成后再次进行沉淀处理、固液分离以及烘干，便可得到符合光刻胶工艺的光刻胶树脂，极大的降低了光刻工艺的成本，同时拓宽了光刻工艺中所需原料的来源。

技术领域

本发明涉及化工技术领域，尤其涉及一种去除光刻胶树脂中的金属杂质的方法。

背景技术

光刻胶是一类利用光化学反应进行精细图案转移的电子化学品，是集成电路精细加工技术的关键性加工材料，其中树脂作为光刻胶组成的一部分，决定着光刻胶性能的优劣。现有技术中，由于光刻胶的性能要求，使得光刻胶配套树脂的纯度要求极其严格，通常光刻胶配套树脂中所要求的金属杂质需在20ppb以下，若金属杂质超标，则会在涂胶后污染wafer表面，并会在扩散、注入方面产生影响，导致电性有变化，同时光刻胶配套树脂中的铁和锰等含量过高，也会影响感光剂的感光质量。目前在对光刻胶配套树脂材料进行选择时，仅仅只是将购买到的单体材料进行洗涤、重结晶、精馏以及过滤分类等工艺进行加工，或者采用更加高昂的价格购买合乎标准的原料单体，耗时费力，极大的增加了生产成本。

发明内容

本发明实施例提供了一种去除光刻胶树脂中的金属杂质的方法，该方法旨在解决现有技术中在选择光刻胶配套树脂材料时生产成本较高的问题。

本发明实施例提供了一种去除光刻胶树脂中的金属杂质的方法，该方法包括以下步骤：

S1、对预置的离子交换树脂进行活化处理；

S2、将活化后的离子交换树脂与光刻胶树脂反应液在反应瓶中进行混合搅拌，搅拌结束后对混合液中的离子交换树脂进行滤除；

S3、对滤除离子交换树脂后的树脂溶液进行沉淀处理、固液分离以及烘干处理；

S4、再次重复步骤S3，得到去除金属杂质后的光刻胶树脂。

优选地，在所述的去除光刻胶树脂中的金属杂质的方法中，步骤S3中在所述反应瓶中加入沉淀剂以对滤除离子交换树脂后的树脂溶液进行沉淀处理。

优选地，在所述的去除光刻胶树脂中的金属杂质的方法中，所述沉淀剂为电子级沉淀剂。

优选地，在所述的去除光刻胶树脂中的金属杂质的方法中，所述电子级沉淀剂的质量为所述混合液的质量的5-10倍。

优选地，在所述的去除光刻胶树脂中的金属杂质的方法中，步骤S1中对预置的离子交换树脂采用去离子水进行冲洗和浸泡处理后，得到所述活化后的离子交换树脂。

更优选地，在所述的去除光刻胶树脂中的金属杂质的方法中，所述冲洗时间不小于3h，所述浸泡时间不小于24h。

优选地，在所述的去除光刻胶树脂中的金属杂质的方法中，所述活化后的离子交换树脂为所述混合液的质量的10-50％。

更优选地，在所述的去除光刻胶树脂中的金属杂质的方法中，步骤S2中所述混合搅拌的参数为：转速120-160r/min、搅拌时间为8-16h。

优选地，在所述的去除光刻胶树脂中的金属杂质的方法中，所述光刻胶树脂为甲基丙烯酸系列树脂。

优选地，在所述的去除光刻胶树脂中的金属杂质的方法中，所述反应瓶为多口烧瓶或反应釜。