[发明专利]存储器器件和其制造方法

说明书

本发明的各种实施例涉及一种存储器器件，包含字线、存储单元、源极线以及位线。存储单元嵌入于字线中且穿透字线。源极线和位线电连接存储单元。本发明的实施例还提供一种制造存储器器件的方法。

技术领域

本发明的实施例是有关于一种存储器器件和其制造方法。

背景技术

半导体存储器器件广泛地用于电子应用的集成电路中，所述电子应用包含例如无线电、电视、蜂窝电话以及个人计算器件。半导体存储器包含两种主要类别。一种是易失性存储器(volatile memories)，另一种是非易失性存储器(non-volatile memories)。易失性存储器包含随机存取存储器(random access memory，RAM)，所述随机存取存储器可进一步划分成两个子类别：静态随机存取存储器(static random access memory，SRAM)和动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)。SRAM和DRAM两个都是易失性的，这是因为它们在未供电时会丢失其存储的信息。另一方面，非易失性存储器可保存其上存储的数据。一种类型的非易失性半导体存储器为铁电随机存取存储器(Ferroelectricrandom access memory，FeRAM)。FeRAM的优势包含其较快的写入/读取速度和较小大小。

发明内容

本发明的实施例涉及包含字线、存储单元、源极线以及位线的存储器器件。存储单元嵌入于字线中且穿透字线。源极线和位线电连接存储单元。

本发明的实施例涉及包含条状堆叠结构、柱状结构以及信号线的存储器器件。条状堆叠结构各自包含交替堆叠的导电线和介电图案。柱状结构穿透条状堆叠结构的导电线和介电图案，且柱状结构中的每一个包含：第一导电柱；第二导电柱；安置在第一导电柱与第二导电柱之间的隔离结构；氧化物半导体层；以及电荷存储介电层，其中氧化物半导体层和电荷存储介电层横向地包围第一导电柱，第二导电柱以及隔离结构，且电荷存储介电层安置在氧化物半导体层与条状堆叠结构中的一个之间。信号线电连接到第一导电柱和第二导电柱。

本发明的实施例涉及用于制造存储器器件的方法。方法包含以下步骤。形成包含交替堆叠的第一介电层和第二介电层的介电质堆叠。在介电质堆叠中形成通孔。用电荷存储介电层、通道层以及绝缘材料填充通孔中的每一个，其中通道层位于电荷存储介电层与绝缘材料之间。图案化介电质堆叠以形成第一条状堆叠结构，其中第一条状堆叠结构中的每一个包括交替堆叠的第一介电图案和第二介电图案。去除第一条状堆叠结构的第二介电图案。在第一介电图案之间形成导电层以形成各自包含交替堆叠的导电层和第一介电图案的第二条状堆叠结构。在形成第二条状堆叠结构之后，部分地去除通孔中的每一个中的绝缘材料以形成通过隔离结构彼此间隔开的隔离结构和柱状孔。在柱状孔中形成源极柱和漏极柱。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本公开的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1A至图1L示意性地示出根据本申请案的一些实施例的用于制造存储器器件的工艺流程的透视图。

图2A至图2K示意性地示出根据本申请案的一些实施例的用于制造存储器器件的工艺流程的截面视图。

图3示意性地示出根据本申请案的一些替代实施例的存储器器件的截面视图。

图4示意性地示出根据本申请案的一些实施例的存储器器件的俯视图。

图5示意性地示出根据本申请案的一些替代实施例的存储器器件的透视图。

图6示意性地示出根据本申请案的一些替代实施例的存储器器件的俯视图。

具体实施方式