[发明专利]存储器器件和其制造方法

权利要求书

1.一种存储器器件，包括：

字线；

存储单元，嵌入于所述字线中且穿透所述字线；

源极线，电连接所述存储单元；以及

位线，电连接所述存储单元。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述存储单元当中的至少一个存储单元包括：

源极柱，嵌入于所述字线中且穿透所述字线；

漏极柱，嵌入于所述字线中且穿透所述字线；

隔离结构，嵌入于所述字线中且穿透所述字线，其中所述源极柱和所述漏极柱由所述隔离结构间隔开，所述源极柱电连接到所述源极线中的一个，且所述漏极柱电连接到所述位线中的一个；以及

通道层和电荷存储介电层，其中所述通道层和所述电荷存储介电层横向地包围所述源极柱、所述漏极柱以及所述隔离结构，且所述通道层通过所述电荷存储介电层与所述字线间隔开。

3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中所述源极柱通过所述通道层的第一接触部分与所述电荷存储介电层间隔开，且所述漏极柱通过所述通道层的第二接触部分与所述电荷存储介电层间隔开。

4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述通道层与所述源极柱的侧壁、所述漏极柱的侧壁以及所述隔离结构的侧壁接触。

5.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述电荷存储介电层的内侧壁与所述通道层接触，且所述电荷存储介电层的外侧壁与所述字线接触。

6.一种存储器器件，包括：

条状堆叠结构，各自包括交替堆叠的导电线和介电图案；

柱状结构，穿透所述条状堆叠结构的所述导电线和所述介电图案，所述柱状结构中的每一个包括：

第一导电柱；

第二导电柱；

隔离结构，安置于所述第一导电柱与所述第二导电柱之间；

氧化物半导体层和电荷存储介电层，其中所述氧化物半导体层和所述电荷存储介电层横向地包围所述第一导电柱、所述第二导电柱以及所述隔离结构，且所述电荷存储介电层安置于所述氧化物半导体层与所述条状堆叠结构中的一个之间；以及

信号线，电连接到所述第一导电柱和所述第二导电柱。

7.根据权利要求6所述的存储器器件，其中所述导电线充当晶体管的栅极电极，所述第一导电柱充当所述晶体管的源极电极，以及所述第二导电柱充当所述晶体管的漏极电极。

8.根据权利要求7所述的存储器器件，其中所述信号线包括电连接所述第一导电柱的源极线和电连接所述第二导电柱的位线。

9.一种制造存储器器件的方法，包括：

形成包括交替堆叠的第一介电层和第二介电层的介电质堆叠；

在所述介电质堆叠中形成通孔；

运用电荷存储介电层、通道层以及绝缘材料填充所述通孔中的每一个，其中所述通道层位于所述电荷存储介电层与所述绝缘材料之间；

图案化所述介电质堆叠以形成第一条状堆叠结构，其中所述第一条状堆叠结构中的每一个包括交替堆叠的第一介电图案和第二介电图案；

去除所述第一条状堆叠结构的所述第二介电图案；

在所述第一介电图案之间形成导电层以形成各自包括交替堆叠的所述导电层和所述第一介电图案的第二条状堆叠结构；

在形成所述第二条状堆叠结构之后，部分地去除所述通孔中的每一个中的所述绝缘材料以形成隔离结构和通过所述隔离结构彼此间隔开的柱状孔；以及

在所述柱状孔中形成源极柱和漏极柱。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述存储单元形成于半导体管芯的内连线结构上方。