[发明专利]薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板

说明书

本申请公开了一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板，所述薄膜晶体管的制备方法包括：在基板上方依次形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层；对所述第二金属层进行蚀刻以在所述第二金属层形成第一沟道；在所述第二金属层上方形成钝化层；以所述钝化层为掩体，对位于所述第一沟道下方的所述欧姆接触层进行蚀刻，以在所述第一沟道下方形成第二沟道；在所述第二金属层上方形成第二绝缘层。能够避免制备得到的薄膜晶体管存在半导体台阶，从而避免半导体台阶引起的漏电问题。

技术领域

本申请涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板。

背景技术

在制备薄膜晶体管时，常采用4Mask工艺；在采用4Mask工艺蚀刻金属层以及半导体层的沟道时，金属层的沟道与半导体层的沟道之间存在半导体台阶，半导体台阶的存在会造成薄膜晶体管漏电，基于此，本申请所要解决的技术问题为，如何避免薄膜晶体管中存在的半导体台阶所导致的漏电问题。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板，旨在解决薄膜晶体管中存在半导体台阶导致漏电的技术问题。

为实现上述目的，本申请提供一种薄膜晶体管的制备方法，所述薄膜晶体管的制备方法包括：

在基板上方依次形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层；

对所述第二金属层进行蚀刻以在所述第二金属层形成第一沟道；

在所述第二金属层上方形成钝化层；

以所述钝化层为掩体，对位于所述第一沟道下方的所述欧姆接触层进行蚀刻，以在所述第一沟道下方形成第二沟道；

在所述第二金属层上方形成第二绝缘层。

可选地，所述在基板上方依次形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层的步骤以及在所述第二金属层上方形成钝化层的步骤之间，还包括：

在所述第二金属层上方形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图案化处理；

以图案化处理后的所述光刻胶层为掩体，对所述第二金属层进行蚀刻以在所述第二金属层形成第一沟道；

剥离所述光刻胶层。

可选地，所述在所述第二金属层上方形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图案化处理的步骤以及剥离所述光刻胶层的步骤之间，还包括：

以图案化处理后所述光刻胶层为掩体，对所述第二金属层进行图案化处理；

以图案化处理后所述光刻胶层为掩体，对所述欧姆接触层进行图案化处理；

以图案化处理后所述光刻胶层为掩体，对所述有源层进行图案化处理；

以图案化处理后的所述光刻胶层为掩体，对图案化处理后的所述第二金属层进行蚀刻以形成所述第一沟道。

可选地，所述光刻胶层包括第一光刻胶区域以及第二光刻胶区域，所述第一光刻胶区域的厚度小于所述第二光刻胶区域的厚度，所述第一光刻胶区域位于所述第一沟道上方，所述第二光刻胶区域与所述第一光刻胶区域不重合，所述以图案化处理后所述光刻胶层为掩体，对所述有源层进行图案化处理的步骤之后，还包括：

对所述光刻胶层进行蚀刻，以去除所述第一光刻胶区域并保留所述第二光刻胶区域。

可选地，所述在基板上方依次形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层的步骤包括：

在所述基板上方形成第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理；

在图案化处理后的所述第一金属层上方形成所述第一绝缘层；