[发明专利]薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制备方法包括：

在基板上方依次形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层；

对所述第二金属层进行蚀刻以在所述第二金属层形成第一沟道；

在所述第二金属层上方形成钝化层；

以所述钝化层为掩体，对位于所述第一沟道下方的所述欧姆接触层进行蚀刻，以在所述第一沟道下方形成第二沟道，使得所述第二沟道的位置以及大小与所述第一沟道的位置以及大小相对应，所述第二金属层与所述欧姆接触层位于各自沟道的横切面之间不存在相对偏离；

对所述有源层的暴露区域进行蚀刻，其中，蚀刻后的所述有源层的暴露区域的厚度为30nm～120nm，所述暴露区域位于所述第二沟道下方，避免第二沟道内存在所述欧姆接触层的残留；

在所述第二金属层上方形成第二绝缘层。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在基板上方依次形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层的步骤以及在所述第二金属层上方形成钝化层的步骤之间，还包括：

在所述第二金属层上方形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图案化处理；

以图案化处理后的所述光刻胶层为掩体，对所述第二金属层进行蚀刻以在所述第二金属层形成第一沟道；

剥离所述光刻胶层。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述第二金属层上方形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图案化处理的步骤以及剥离所述光刻胶层的步骤之间，还包括：

以图案化处理后所述光刻胶层为掩体，对所述第二金属层进行图案化处理；

以图案化处理后所述光刻胶层为掩体，对所述欧姆接触层进行图案化处理；

以图案化处理后所述光刻胶层为掩体，对所述有源层进行图案化处理；

以图案化处理后的所述光刻胶层为掩体，对图案化处理后的所述第二金属层进行蚀刻以形成所述第一沟道。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层包括第一光刻胶区域以及第二光刻胶区域，所述第一光刻胶区域的厚度小于所述第二光刻胶区域的厚度，所述第一光刻胶区域位于所述第一沟道上方，所述第二光刻胶区域与所述第一光刻胶区域不重合，所述以图案化处理后所述光刻胶层为掩体，对所述有源层进行图案化处理的步骤之后，还包括：

对所述光刻胶层进行蚀刻，以去除所述第一光刻胶区域并保留所述第二光刻胶区域。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在基板上方依次形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层的步骤包括：

在所述基板上方形成第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理；

在图案化处理后的所述第一金属层上方形成所述第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上方形成所述有源层；

在所述有源层上方形成所述欧姆接触层；

在所述欧姆接触层上方形成所述第二金属层。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述第二金属层上方形成第二绝缘层的步骤之后，还包括：

对所述第二绝缘层进行图案化处理；

在图案化处理后的所述第二绝缘层上方形成像素电极层；

对所述像素电极层进行图案化处理。

7.如权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述钝化层的厚度为50nm～100nm。

8.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管根据权利要求1至7任一项所述的薄膜晶体管的制备方法制备得到。

9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求8所述的薄膜晶体管。