[发明专利]高边功率MOSFET的驱动保护电路

权利要求书

1.一种高边功率金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的驱动保护电路，其特征在于，包括低压输入控制电路、第一电平转换电路、第二电平转换电路、第三电平转换电路和驱动电路；所述低压输入控制电路分别与所述第一电平转换电路、所述第二电平转换电路和所述第三电平转换电路相连接；所述驱动电路分别与所述第一电平转换电路和所述第三电平转换电路相连接；所述第二电平转换电路与所述第三电平转换电路相连接；所述低压输入控制电路用于分别控制所述第一电平转换电路、所述第二电平转换电路和所述第三电平转换电路的电压转换；所述第三电平转换电路用于响应于来自所述低压输入控制电路的输入以及来自所述第二电平转换电路的输入进行电压转换；所述驱动电路用于响应于来自所述第一电平转换电路的输入以及来自所述第三电平转换电路的输入调整输出电压以驱动高边功率金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET工作；所述驱动电路包括PMOSFET、NMOSFET、第四二极管、第五二极管、第四电阻和第五电阻；所述第四二极管的正极端与所述第三电平转换电路相连接，所述第四二极管的负极端与所述NMOSFET的栅极相连接，所述NMOSFET的源极与所述第三电平转换电路相连接，所述NMOSFET的漏极与所述PMOSFET的漏极相连接，所述第四电阻的一端与所述PMOSFET的源极相连接，所述第四电阻的另一端与电荷泵相连接，所述第五二极管的正极端与所述NMOSFET的源极相连接，所述第五二极管的负极端与所述NMOSFET的漏极相连接，所述第五电阻与所述第五二极管并联，所述PMOSFET的栅极与所述第一电平转换电路相连接；所述第四二极管的正极端与所述NMOSFET的源极相连接；所述第三电平转换电路的第一输出端与所述NMOSFET的栅极相连接，所述第三电平转换电路的第二输出端与所述NMOSFET的源极相连接。

2.根据权利要求1所述的驱动保护电路，其特征在于，所述低压输入控制电路包括串联的第一反相器和第二反相器。

3.根据权利要求2所述的驱动保护电路，其特征在于，所述第一反相器的输出端与所述第二电平转换电路相连接，所述第二反相器的输出端分别与所述第一电平转换电路和所述第三电平转换电路相连接。

4.根据权利要求1所述的驱动保护电路，其特征在于，所述第一电平转换电路包括第九N沟道增强型场效应管NMOSFET、第八NMOSFET、第三NMOSFET、第一电阻和第一二极管；所述第三NMOSFET的源极与所述第八NMOSFET的漏极相连接，所述第八NMOSFET的源极与所述第九N沟道增强型场效应管NMOSFET的漏极相连接，所述第八NMOSFET的栅极与所述低压输入控制电路相连接，所述第一电阻的一端与所述第三NMOSFET的漏极相连接，所述第一电阻的另一端连接电荷泵，所述第一二极管与所述第一电阻并联，所述第九N沟道增强型场效应管NMOSFET的源极接地，所述第九N沟道增强型场效应管NMOSFET的栅极连接第一电压源，所述第三NMOSFET的栅极连接第二电压源。

5.根据权利要求1所述的驱动保护电路，其特征在于，所述第二电平转换电路包括第十NMOSFET、第六NMOSFET、第四NMOSFET、第二电阻和第二二极管；所述第四NMOSFET的源极与所述第六NMOSFET的漏极相连接，所述第四NMOSFET的栅极连接第二电压源，所述第六NMOSFET的源极与所述第十NMOSFET的漏极相连接，所述第十NMOSFET的源极接地，所述第十NMOSFET的栅极连接第一电压源，所述第六NMOSFET的栅极与所述低压输入控制电路相连接，所述第二电阻的一端与所述第四NMOSFET的漏极相连接，所述第二电阻的另一端连接电荷泵，所述第二二极管与所述第二电阻并联。