[发明专利]一种改善CIS产品负信号的方法有效

申请号：	202110449080.9	申请日：	2021-04-25
公开（公告）号：	CN113224097B	公开（公告）日：	2023-03-24
发明（设计）人：	袁明;王柯;程刘锁;钱江勇;张继亮	申请（专利权）人：	华虹半导体（无锡）有限公司
主分类号：	H01L27/146	分类号：	H01L27/146;H01L21/265
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	戴广志
地址：	214028 江***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种改善 cis 产品信号方法
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【说明书】：

本发明提供一种改善CIS产品负信号的方法，提供硅基底；在硅基底上形成厚栅氧区域、P型阱以及N型阱；在厚栅氧区域、P型阱以及N型阱上形成栅氧层；在栅氧层上形成多晶硅层；对多晶硅层进行F离子注入。本发明中进行F离子注入，可以使栅氧层有效电性厚度增加，随转移管的逐步打开，输出信号呈上升趋势，负信号有明显改善，并且CIS器件的窗口进行了优化。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善CIS产品负信号的方法。

背景技术

如图1所示，图1显示为现有技术中的像素电路结构示意图。针对CIS(图像传感器)常用的4T-PPD APS(4晶体管的钳位光电二极管有源像素传感器)像素结构，积分完成后，RST管(复位管)对寄生电容形成的FD(浮置扩散区)浮置节点进行复位，紧接着开关S1打开，把复位电压存储在电容C1中。然后，电荷转移管TX打开，使PPD中的信号电子完全转移到FD中。最后S2开关打开，将电子信号读出并存储于C2中。C1与C2的电压差即为实际光强信号。

电容C2为Varactor(变容二极管)器件，当栅氧层GOX存在漏电Leakge时，PPD转移出的信号电子存储异常，引起电压差“负信号”，导致彩色出图异常。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善CIS产品负信号的方法，用于解决现有技术中CIS产品由于变容二极管的栅氧层出现漏电时，PPD输出信号出现存储异常，引起负信号，从而导致色彩出图异常的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善CIS产品负信号的方法，至少包括：

步骤一、提供硅基底；

步骤二、在所述硅基底上形成厚栅氧区域、P型阱以及N型阱；

步骤三、在所述厚栅氧区域、P型阱以及N型阱上形成栅氧层；

步骤四、在所述栅氧层上形成多晶硅层；

步骤五、对所述多晶硅层进行F离子注入。

优选地，步骤二中的所述P型阱位于所述厚栅氧区域和所述N型阱之间，并且所述厚栅氧区域、P型阱以及所述N型阱之间由STI区相互隔离。

优选地，步骤三中的所述栅氧层为二氧化硅。

优选地，步骤五中所述F离子的注入能量为3E15keV。