[发明专利]一种改善CIS产品负信号的方法

权利要求书

1.一种改善CIS产品负信号的方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供硅基底；

步骤二、在所述硅基底上形成厚栅氧区域、P型阱以及N型阱；

步骤三、在所述厚栅氧区域、P型阱以及N型阱上形成栅氧层；

步骤四、在所述栅氧层上形成多晶硅层；

步骤五、对所述多晶硅层进行F离子注入；注入的F离子穿过所述多晶硅层进入所述栅氧层，所述F离子取代所述栅氧层中的氧离子，形成硅-氟键，游离的氧离子进入所述硅基底，与硅结合形成二氧化硅步骤五中进入硅基底中的氧离子与硅集合形成的二氧化硅增大栅氧层的有效电性厚度。

2.根据权利要求1所述的改善CIS产品负信号的方法，其特征在于：步骤二中的所述P型阱位于所述厚栅氧区域和所述N型阱之间，并且所述厚栅氧区域、P型阱以及所述N型阱之间由STI区相互隔离。

3.根据权利要求1所述的改善CIS产品负信号的方法，其特征在于：步骤三中的所述栅氧层为二氧化硅。

4.根据权利要求3所述的改善CIS产品负信号的方法，其特征在于：步骤五中对所述多晶硅层进行F离子注入的方法为：在所述多晶硅层上方注入F离子。

5.根据权利要求4所述的改善CIS产品负信号的方法，其特征在于：步骤五中进行F离子的注入释放了所述硅基底和所述栅氧层界面处畸变硅-氧应力。