[发明专利]一种改善小尺寸接触孔工艺窗口的方法有效
| 申请号： | 202110449079.6 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113224000B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 朱作华 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 尺寸 接触 工艺 窗口 方法 | ||
1.一种改善小尺寸接触孔工艺窗口的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供多片晶圆，所述晶圆上设有NiSi层，所述NiSi层上设有CESL层，所述CESL层上设有ILD层；
步骤二、在所述ILD层上形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光和显影，形成接触孔的光刻胶图形；
步骤三、按照所述光刻胶图形刻蚀所述ILD层至露出所述CESL层上表面为止，形成接触孔的凹槽；
步骤四、对所述多片晶圆中的每一片进行单独的第一次清洗以去除所述凹槽中的刻蚀物；
步骤五、在所述凹槽侧壁和底部形成LTO层；
步骤六、沿着所述凹槽侧壁继续向下刻蚀所述CESL层，所述CESL层上表面的所述LTO层被去除，直到向下刻蚀至露出所述NiSi层上表面为止，形成接触孔；
步骤七、对所述每一片晶圆进行单独的第二次清洗以去除所述接触孔中的刻蚀物；
步骤八、将所述多片晶圆分为多个批次，对每一批次的所述晶圆利用原子层沉积法在所述接触孔中覆盖一TiN薄层；
步骤九、将所述多片晶圆合并同步进行所述接触孔的钨填充；所述填充方法为降温结晶法。
2.根据权利要求1所述的改善小尺寸接触孔工艺窗口的方法，其特征在于：步骤一中的所述多片晶圆的数目为25片。
3.根据权利要求1所述的改善小尺寸接触孔工艺窗口的方法，其特征在于：步骤一中的所述CESL层为氮化硅。
4.根据权利要求1所述的改善小尺寸接触孔工艺窗口的方法，其特征在于：步骤一中的所述ILD层为氧化硅层。
5.根据权利要求1所述的改善小尺寸接触孔工艺窗口的方法，其特征在于：步骤五中形成所述LTO层的方法为沉积法，材质为较ILD致密的氧化硅薄层。
6.根据权利要求1所述的改善小尺寸接触孔工艺窗口的方法，其特征在于：步骤五中在所述凹槽侧壁和底部形成所述LTO层的同时，所述凹槽以外的ILD层的上表面也形成有所述LTO层。
7.根据权利要求1所述的改善小尺寸接触孔工艺窗口的方法，其特征在于：步骤五中的所述LTO层用于保护所述凹槽的侧壁。
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