[发明专利]半导体器件的制作方法

说明书

本申请公开了一种半导体器件的制作方法，包括：进行第一热处理，在第一热处理的过程中通入氧气，使半导体器件的衬底上方的氧化层的厚度得到增加；采用光刻工艺在衬底上的目标区域覆盖光阻；依次进行第一离子注入和第二热处理。本申请通过在半导体器件的制作过程中，在进行第一离子注入前，进行热处理时通入氧气，使半导体器件的衬底上方的氧化层的厚度得到增加，从而使衬底上方的氧化层充分生长，解决了因后续的光刻工艺中由于需要通过灰化处理去除光阻，氧化层进一步生长所导致的半导体器件的电学性能波动的问题，提高了半导体器件的稳定性和可靠性。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体器件的制作方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，光刻工艺经常需要进行光刻返工(rework)，即需要将光刻工艺中错误的光阻去除。

相关技术中，光刻返工的步骤包括：对光阻进行干法灰化(ash)处理，进行湿法刻蚀处理以对晶圆表面进行清洁，从而实现对光阻的去除。

然而，由于氧化作用，在进行光刻返工后，会在半导体器件的衬底上生成附加的氧化层(screen oxide)，且通常灰化处理过程中温度较高、氧气流量较大，生成的氧化层厚度较大，从而导致半导体器件的电学性能较差。

发明内容

本申请提供了一种半导体器件的制作方法，可以解决相关技术中由于光刻返工生成的附件的氧化层厚度较大所导致半导体器件的电学性能较差的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种半导体器件的制作方法，包括：

进行第一热处理，在所述第一热处理的过程中通入氧气，使所述半导体器件的衬底上方的氧化层的厚度得到增加；

采用光刻工艺在所述衬底上的目标区域覆盖光阻；

依次进行第一离子注入和第二热处理。

可选的，在进行所述第一热处理后，所述氧化层厚度的增加值为0.5埃至100埃。

可选的，在进行所述第一离子注入时，通过调整反应气体的剂量使所述半导体器件的饱和电流和/或阈值电压达到质量标准。

可选的，在进行所述第一次离子注入时，所述反应气体的剂量大于3×10¹³每平方厘米(/cm²)。

可选的，所述器件为金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，MOS)器件。

可选的，所述第一热处理是进行第二离子注入后的热处理，所述第一离子注入和所述第二离子注入的掺杂离子类型不同。

可选的，所述MOS器件包括第一MOS器件和第二MOS器件，所述目标区域是所述第二MOS器件对应的区域，所述第二离子注入是对所述第二MOS器件的轻掺杂漏(lightly dopeddrain，LDD)注入。

可选的，所述第一离子注入是对所述第一MOS器件的LDD注入。

本申请技术方案，至少包括如下优点：

通过在半导体器件的制作过程中，在进行第一离子注入前，进行热处理时通入氧气，使半导体器件的衬底上方的氧化层的厚度的得到增加，从而使衬底上方的氧化层充分生长，解决了因后续的光刻工艺中由于需要通过灰化处理去除光阻，氧化层进一步生长所导致的半导体器件的电学性能波动的问题，提高了半导体器件的稳定性和可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。