[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 202110446880.5 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113206012B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 王柯;米魁;程刘锁;王函;闫玉琴;白旭东;袁明 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/027;H01L21/265;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
进行第一热处理，在所述第一热处理的过程中通入氧气，使所述半导体器件的衬底上方的氧化层的厚度得到增加，所述氧化层增加的厚度是不影响所述半导体器件电学性能的厚度，在后续的光刻工艺中的灰化处理不会使所述氧化层进一步生长；
采用光刻工艺在所述衬底上的目标区域覆盖光阻；
依次进行第一离子注入和第二热处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行所述第一热处理后，所述氧化层厚度的增加值为0.5埃至100埃。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在进行所述第一离子注入时，通过调整反应气体的剂量使所述半导体器件的饱和电流和/或阈值电压达到质量标准。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在进行所述第一离子注入时，所述反应气体的剂量大于3×1013每平方厘米。
5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述器件为MOS器件。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一热处理是进行第二离子注入后的热处理，所述第一离子注入和所述第二离子注入的掺杂离子类型不同。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述MOS器件包括第一MOS器件和第二MOS器件，所述目标区域是所述第二MOS器件对应的区域，所述第二离子注入是对所述第二MOS器件的LDD注入。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一离子注入是对所述第一MOS器件的LDD注入。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
