[发明专利]存储器件的制作方法

说明书

本申请公开了一种存储器件的制作方法，包括：采用光刻工艺在衬底上覆盖光阻，暴露出衬底上的第一区域，衬底包括所述第一区域、第二区域和第三区域，第一区域是用于形成第一类型的逻辑器件的区域，第二区域是用于形成第二类型的逻辑器件的区域，第三区域是用于形成存储单元的区域；进行浅结注入；进行第一LDD注入，去除光阻；采用光刻工艺在衬底上覆盖光阻，暴露出第二区域；进行浅结注入；进行第二LDD注入，去除光阻；进行SD注入。本申请通过对第一类型的逻辑器件所在的第一区域和第二类型的逻辑器件所在的第二区域分别进行浅结注入形成浅结，从而避免了全局SD注入所导致的全局浅结注入渗透至存储器件区域致使器件可靠性下降的问题。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种存储器件的制作方法。

背景技术

采用非易失性存储(non-volatile memory，NVM)技术的存储器目前被广泛应用于智能手机、平板电脑、数码相机、通用串行总线闪存盘(universal serial bus flashdisk，USB闪存盘，简称“U盘”)等具有存储功能的电子产品中。

NVM存储器中，NORD闪存(flash)具有传输效率高，其具有在1MB至4MB的容量范围下成本较低的特点，其通常包括在衬底上形成的存储单元阵列(cell array)和逻辑(logic)器件。

通常，在存储器件，尤其是NORD闪存器件的制作过程中，需要进行浅结注入将表面晶格打碎，从而能够提高之后形成的LDD区、源区和漏区的深度以及均一性，获得浅结，以提高栅极对沟道的控制能力。

相关技术中，包含浅结注入的存储器件的制作方法为：在存储单元的轻掺杂漏(lightly doped drain，LDD)注入后，依次进行全局浅结注入、逻辑区域的LDD注入、浅结注入和SD注入。

然而，由于SD注入是全局注入，导致全局浅结注入渗透至存储器件区域，致使需要承受编程高压的存储器件的源极和漏极的耐压能力下降，工作时产生的漏电流将对恶化编程时的非选择进行干扰，器件的可靠性较差。

发明内容

本申请提供了一种存储器件的制作方法，可以解决相关技术中提供的存储器件的制作方法由于在SD注入前要进行全局浅结注入所导致的器件的可靠性较差的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种存储器件的制作方法，其特征在于，包括：

采用光刻工艺在衬底上覆盖光阻，暴露出所述衬底上的第一区域，所述衬底包括所述第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域是用于形成第一类型的逻辑器件的区域，所述第二区域是用于形成第二类型的逻辑器件的区域，所述第三区域是用于形成存储单元的区域；

进行浅结注入；

进行第一LDD注入，去除光阻；

采用光刻工艺在所述衬底上覆盖光阻，暴露出所述第二区域；

进行浅结注入；

进行第二LDD注入，去除光阻；

进行SD注入。

可选的，所述浅结注入的离子包括锗(Ge)离子。

可选的，所述采用光刻工艺在衬底上覆盖光阻，暴露出所述衬底上的第一区域之前，还包括：

在所述存储单元的栅极的周侧形成侧墙，所述栅极形成于所述第三区域；

采用光刻工艺在所述衬底上覆盖光阻，暴露出所述第三区域；

进行第三LDD注入，去除光阻。

可选的，所述侧墙包括二氧化硅。

可选的，所述存储器件为NORD闪存器件。