[发明专利]存储器件的制作方法

权利要求书

1.一种存储器件的制作方法，其特征在于，包括：

采用光刻工艺在衬底上覆盖光阻，暴露出所述衬底上的第一区域，所述衬底包括所述第一区域、第二区域和第三区域，所述第二区域和所述第三区域被光阻覆盖，所述第一区域是用于形成第一类型的逻辑器件的区域，所述第二区域是用于形成第二类型的逻辑器件的区域，所述第三区域是用于形成存储单元的区域；

进行浅结注入；

进行第一LDD注入，去除光阻；

采用光刻工艺在所述衬底上覆盖光阻，暴露出所述第二区域，所述第一区域和所述第三区域被光阻覆盖；

进行浅结注入；

进行第二LDD注入，去除光阻；

进行SD注入。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浅结注入的离子包括锗离子。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用光刻工艺在衬底上覆盖光阻，暴露出所述衬底上的第一区域之前，还包括：

在所述存储单元的栅极的周侧形成侧墙，所述栅极形成于所述第三区域；

采用光刻工艺在所述衬底上覆盖光阻，暴露出所述第三区域；

进行第三LDD注入，去除光阻。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述侧墙包括二氧化硅。

5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述存储器件为NORD闪存器件。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，当所述第一类型的逻辑器件为P型逻辑器件时，所述第二类型的逻辑器件为N型逻辑器件；

当所述第一类型的逻辑器件为N型逻辑器件时，所述第二类型的逻辑器件为P型逻辑器件。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述逻辑器件为核心器件。