[发明专利]光刻方法

说明书

本申请公开了一种光刻方法，包括：在晶圆上覆盖光阻；通过掩模板对光阻进行曝光；进行显影，去除曝光区域的光阻，形成高深宽比的光阻图形，该高深宽比的光阻图形是深度和宽度的比值大于等于3的光阻图形；在光阻上覆盖收缩材料，该收缩材料填充所述光阻图形之间的沟槽和/或通孔；在烘烤设备中烘烤，烘烤设备包括放置晶圆的第一加热板和位于晶圆上方的第二加热板；去除收缩材料。本申请在光刻过程中，在显影形成高深宽比光阻图形后，在光阻图形中填充收缩材料且将晶圆放置于具有上下加热板的烘烤设备中进行烘烤，由于上下加热板的设置能够设置烘烤的加热梯度，从而能够通过加热收缩材料修正光阻图形的形貌缺陷，提高了器件的可靠性。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光刻方法。

背景技术

在半导体制造的光刻工艺中，通常需要曝光显影形成高深宽比(即形成的沟槽深度和沟槽宽度的比值较高，例如，该比值可以是3:1及以上)的光阻图形。

相关技术中，具有高深宽比的光阻图形的光刻方法包括：在晶圆上覆盖光阻；通过掩模板对光阻进行曝光；进行显影，去除曝光区域的光阻，形成高深宽比的光阻图形。由于在光刻过程中，光是从光阻的顶部进入，且光阻本身具有一定的吸光特性，在显影后光阻图形的顶部往往会有损伤。

参考图1，其示出了通过相关技术提供的光刻方法得到的具有高深宽比的光阻图形的剖面示意图。如图1所示，衬底110上形成有高深宽比(深度h和宽度w的比值较高)的光阻图形120，由于其顶部受到损失，顶部的宽度W1小于其底部的宽度W2。

由于相关技术中提供的光刻方法形成的高深宽比的光阻图形的顶部具有一定的损伤，从而导致光阻图像的有效阻挡厚度不足，进而影响器件的形貌，降低了器件的可靠性。

发明内容

本申请提供了一种光刻方法，可以解决相关技术中提供的高深宽比的光阻图形的光刻方法由于其顶部在光刻过程中会有一定的损伤，从而导致制作的器件的可靠性较低的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种光刻方法，包括：

在晶圆上覆盖光阻；

通过掩模板对所述光阻进行曝光；

进行显影，去除曝光区域的光阻，形成高深宽比的光阻图形，所述高深宽比的光阻图形是深度和宽度的比值大于等于3的光阻图形；

在所述光阻上覆盖收缩材料(shrink material)，所述收缩材料填充所述光阻图形之间的沟槽和/或通孔；

在烘烤设备中烘烤，所述烘烤设备包括放置所述晶圆的第一加热板和位于所述晶圆上方的第二加热板；

去除所述收缩材料。

可选的，在所述烘烤过程中，所述第二加热板的温度高于所述第一加热板的温度。

可选的，在所述烘烤过程中，所述第一加热板通过红外加热技术对所述晶圆进行烘烤。

可选的，所述在所述光阻上覆盖收缩材料，包括：

通过旋涂的方式在所述光阻上覆盖所述收缩材料。

可选的，所述去除所述收缩材料之后，还包括：

对所述光阻图形的形貌进行量测。

可选的，所述在晶圆上覆盖光阻，包括：

通过旋涂的方式在所述晶圆上覆盖所述光阻。

可选的，所述晶圆是用于制作互补金属氧化物半导体图像传感器(complementarymetal oxide semiconductor contact image sensor，CIS)的晶圆。

本申请技术方案，至少包括如下优点：