[发明专利]光刻方法有效
| 申请号： | 202110446871.6 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113204181B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 李玉华;黄发彬;吴长明;姚振海;金乐群 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/40 | 分类号： | G03F7/40;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
1.一种光刻方法，其特征在于，包括：
在晶圆上覆盖光阻；
通过掩模板对所述光阻进行曝光；
进行显影，去除曝光区域的光阻，形成高深宽比的光阻图形，所述高深宽比的光阻图形是深度和宽度的比值大于等于3的光阻图形；
在所述光阻上覆盖收缩材料，所述收缩材料填充所述光阻图形之间的沟槽和/或通孔；
在烘烤设备中烘烤，所述烘烤设备包括放置所述晶圆的第一加热板和位于所述晶圆上方的第二加热板；
去除所述收缩材料；
其中，在烘烤过程中，使所述第二加热板的温度高于所述第一加热板的温度；或，使所述第二加热板相对于所述第一加热板距离所述光阻图形更近；或，使所述第二加热板的温度高于所述第一加热板的温度且使所述第二加热板相对于所述第一加热板距离所述光阻图形更近。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述烘烤过程中，所述第一加热板通过红外加热技术对所述晶圆进行烘烤。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述光阻上覆盖收缩材料，包括：
通过旋涂的方式在所述光阻上覆盖所述收缩材料。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述去除所述收缩材料之后，还包括：
对所述光阻图形的形貌进行量测。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在晶圆上覆盖光阻，包括：
通过旋涂的方式在所述晶圆上覆盖所述光阻。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述晶圆是用于制作CIS的晶圆。
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