[发明专利]一种微型射频玻璃绝缘子用低介电封接玻璃粉

说明书

本发明涉及一种微型射频玻璃绝缘子用低介电封接玻璃粉，其特征在于由以摩尔百分比表示的原料制成：SiO₂：70.5~74.0%，B₂O₃：20.5~23.5%，Ga₂O₃：0.5~2.0%，P₂O₅：0.25~2.0%，Li₂O：0.4~6.0%，K₂O：0.1~1.5%，LaB₆：0.05~1.0%，NaCl：0.03~0.3%。本发明的优点：原材料组分简单，制备方法简便易行；制得的玻璃粉介电常数和介电损耗较低、熔制成形温度较低，便于大规模工业化生产；玻璃粉的熔制成形温度为1320~1360℃，制得的玻璃在频率为1MHz时介电常数为3.8~4.1，介电损耗为4×10^‑4~10×10^‑4，封接温度900‑950℃。

技术领域

本发明涉及电子玻璃领域，具体涉及一种微型射频玻璃绝缘子用低介电封接玻璃粉。

背景技术

随着信息传输和高频通信技术的快速发展，电子器件对封接玻璃粉的介电性能要求越来越高。材料的介电常数越小则信号的传播速率越快，材料的介电损耗越小则其在固定传播频率下的传播损失就越小，因此，需要封接玻璃粉具有较低的介电常数和介电损耗。

近年来，射频连接器、微波器件等工作频率范围大幅提高，为了降低由此带来的阻抗延时及功率损耗，除了采用低电阻率金属外，重要的是降低介质层的寄生电容。电容Ｃ与介电常数ε成正比，可采用低介电常数材料作互连介质，减小阻抗延迟，从而满足集成电路发展的需要，低介电玻璃粉就是一种很理想的候选材料。低介电玻璃粉具有较低的介电常数和介电损耗，它们随测试温度和频率基本不变，在电子封装中起着如保护电路、隔离绝缘和防止信号失真等作用。在高频微波条件下使用的低介电常数封接玻璃粉，主要用于模块、部件的微波信号及控制信号的输入输出，可以减少信号的弛豫和交叉干扰以及减少高频和大电阻率下的热耗过多。

但是，目前能够提供低介电封接玻璃粉的厂家很少，因为目前存在的主要问题包括（1）玻璃粉的熔制温度过高、高温粘度大，导致封接温度高；（2）玻璃粉的介电常数或介电损耗偏大，影响了低介电封接玻璃粉的实际应用。

发明内容

本发明的目的是为了解决弥补现有技术的不足，提供一种微型射频玻璃绝缘子用低介电封接玻璃粉，该玻璃因具有较低的介电常数和介电损耗、较低的熔制成形温度等特点，可满足微型射频玻璃绝缘子封接使用要求。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种微型射频玻璃绝缘子用低介电封接玻璃粉，其特征在于由以摩尔百分比表示的原料制成：SiO₂：70.5~74.0%，B₂O₃：20.5~23.5%，Ga₂O₃：0.5~2.0%，P₂O₅：0.25~2.0%，Li₂O：0.4~6.0%，K₂O：0.1~1.5%，LaB₆：0.05~1.0%，NaCl：0.03~0.3%。

进一步，所述一种微型射频玻璃绝缘子用低介电封接玻璃粉，其特征在于由以摩尔百分比表示的原料制成：SiO₂：71.5~73.0%，B₂O₃：21.5~23%，Ga₂O₃：0.8~1.5%，P₂O₅：0.5~1.5%，Li₂O：0.8~5.5%，K₂O：0.3~1.2%，LaB₆：0.1~0.8%，NaCl：0.1~0.25%。