[发明专利]一种微型射频玻璃绝缘子用低介电封接玻璃粉

权利要求书

1.一种微型射频玻璃绝缘子用低介电封接玻璃粉，其特征在于由以摩尔百分比表示的原料制成：SiO₂：70.5~74.0%，B₂O₃：20.5~23.5%，Ga₂O₃：0.5~2.0%，P₂O₅：0.25~2.0%，Li₂O：0.4~6.0%，K₂O：0.1~1.5%，LaB₆：0.05~1.0%，NaCl：0.03~0.3%。

2.根据权利要求1所述一种微型射频玻璃绝缘子用低介电封接玻璃粉，其特征在于由以摩尔百分比表示的原料制成：SiO₂：71.5~73.0%，B₂O₃：21.5~23%，Ga₂O₃：0.8~1.5%，P₂O₅：0.5~1.5%，Li₂O：0.8~5.5%，K₂O：0.3~1.2%，LaB₆：0.1~0.8%，NaCl：0.1~0.25%。

3.根据权利要求1所述一种微型射频玻璃绝缘子用低介电封接玻璃粉，其特征在于由以摩尔百分比表示的原料制成：SiO₂：71.5~72.5%，B₂O₃：22~23%，Ga₂O₃：1~1.2%，P₂O₅：0.8~1.2%，Li₂O：1.5~2.5%，K₂O：0.5~1.0%，LaB₆：0.2~0.7%，NaCl：0.15~0.2%。

4.根据权利要求1任一项所述一种微型射频玻璃绝缘子用低介电封接玻璃粉，其特征在于：Li₂O/K₂O的比例为1~6。

5.根据权利要求1-4任一项所述一种微型射频玻璃绝缘子用低介电封接玻璃粉，其特征在于：Li₂O/K₂O的比例为1~3。

6.根据权利要求1-4任一项所述一种微型射频玻璃绝缘子用低介电封接玻璃粉，其特征在于：玻璃粉熔制成形温度为1320~1360℃，制得的玻璃在频率为1MHz时介电常数为3.8~4.1，介电损耗为4×10^-4~10×10^-4，封接温度900 -950℃。