[发明专利]发光元件及其制造方法

说明书

本发明公开一种发光元件及其制造方法，其中该发光元件包含一半导体叠层，依序包含一第一半导体层、一活性区域以及一第二半导体层，其中该第一半导体层包含一第一半导体层上表面；一暴露区，位于半导体叠层内，暴露第一半导体层上表面；一第一保护层，覆盖暴露区以及部分第二半导体层；一第一反射结构，位于第二半导体层上，包含一或多个第一开口；以及一第二反射结构，位于第一反射结构上，经由第一开口与第二半导体层电连接；其中，第一保护层的一部分位于第一半导体层上表面之上且具有一第一厚度，第一保护层的另一部分位于第二半导体层之上且具有一第二厚度，第一厚度小于第二厚度。

技术领域

本发明涉及一种发光元件，更详言之，是涉及一种具有提升亮度的发光元件。

背景技术

固态发光元件中的发光二极管(LEDs)具有具低耗电量、低产热、寿命长、体积小、反应速度快以及良好光电特性，例如具有稳定的发光波长等特性，故已被广泛的应用于家用装置、指示灯及光电产品等。

现有的发光二极管包含一基板、一n型半导体层、一活性区域及一p型半导体层形成于基板上、以及分别形成于p型/n型半导体层上的p、n-电极。当通过电极对发光二极管通电，且在一特定值的顺向偏压时，来自p型半导体层的空穴及来自n型半导体层的电子在活性区域内结合以放出光。然而，随着发光二极管应用于不同的光电产品，对于发光二极管的亮度规格也提高，如何提升其亮度，为本技术领域人员所研究开发的目标之一。

发明内容

本发明揭露一种发光元件，包含一半导体叠层，依序包含一第一半导体层、一活性区域以及一第二半导体层，其中第一半导体层包含一第一半导体层上表面；一暴露区，位于半导体叠层内，暴露第一半导体层上表面；一第一保护层，覆盖暴露区以及部分第二半导体层；一第一反射结构，位于第二半导体层上，包含一或多个第一开口；以及一第二反射结构，位于第一反射结构上，经由第一开口与第二半导体层电连接；其中，第一保护层的一部分位于第一半导体层上表面之上且具有一第一厚度，第一保护层的另一部分位于第二半导体层之上且具有一第二厚度，第一厚度小于第二厚度。

本发明揭露一种发光元件，包含一半导体叠层，依序包含一第一半导体层、一活性区域以及一第二半导体层，其中第一半导体层包含一第一半导体层上表面；一暴露区，位于半导体叠层内，暴露第一半导体层上表面；一第一保护层，覆盖暴露区以及部分第二半导体层；一蚀刻停止层，位于第二半导体层上；一第一反射结构，位于蚀刻停止层上，包含一或多个第一开口，且第一开口暴露蚀刻停止层；一第二反射结构，位于第一反射结构上，经由第一开口与蚀刻停止层及第二半导体层电连接；一电极位于第一保护层上；一第二保护层位于电极上，覆盖暴露区，包含一第二开口暴露电极；以及一焊垫，经由第二开口与电极连接。

附图说明

图1A为本发明一实施例发光元件1、2的上视图；

图1B为本发明一实施例发光元件1的截面图；

图1C为本发明一实施例发光元件1的局部截面图；

图1D为本发明一实施例发光元件2的截面图；

图1E为本发明一实施例发光元件2的局部截面图；

图2A至图2H为本发明一实施例发光元件1制造方法中于各阶段的上视图；

图3A至图3F为本发明一实施例发光元件1制造方法中于各阶段的截面图；

图4A至图4C为本发明一实施例发光元件1制造方法中于部分阶段的截面图；

图5A及图5B为本发明一实施例发光元件1制造方法中于部分阶段的截面图；

图6A及图6B为本发明一实施例发光元件1中第一反射结构的一截面局部放大图；

图7A至图7I为本发明一实施例发光元件2制造方法中于各阶段的上视图；