[发明专利]发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光元件，其特征在于，包含：

半导体叠层，依序包含第一半导体层、活性区域以及第二半导体层，其中该第一半导体层包含第一半导体层上表面；

暴露区，位于该半导体叠层内，暴露该第一半导体层上表面；

第一保护层，覆盖该暴露区以及部分该第二半导体层；

第一反射结构，位于该第二半导体层上，包含一或多个第一开口；以及

第二反射结构，位于该第一反射结构上，经由该一或多第一开口与该第二半导体层电连接；

其中，该第一保护层的一部分位于该第一半导体层上表面之上且具有第一厚度，该第一保护层的另一部分位于该第二半导体层之上且具有第二厚度，该第一厚度小于该第二厚度。

2.如权利要求1所述的发光元件，还包含蚀刻停止层位于该第二半导体层与该第一反射结构之间，且该一或多第一开口暴露该蚀刻停止层。

3.如权利要求2所述的发光元件，其中该蚀刻停止层包含透明导电层。

4.如权利要求2所述的发光元件，其中该蚀刻停止层包含金属结构。

5.如权利要求1所述的发光元件，其中：

该第一保护层包含下部保护层以及上部保护层，该下部保护层接触该半导体叠层；以及

该第一反射结构包含材料叠层，位于该下部保护层与该上部保护层之间。

6.如权利要求5所述的发光元件，其中该第二反射结构包含金属结构，位于该上部保护层之下。

7.如权利要求5所述的发光元件，还包含：

电极，位于该上部保护层上；

第二保护层，位于该电极上，覆盖该暴露区，包含第二开口暴露该电极；以及

焊垫，经由该第二开口与该电极连接。

8.如权利要求7所述的发光元件，还包含基板位于该半导体叠层之下；其中该半导体叠层包含侧壁与该基板连接，且该第二保护层覆盖该侧壁。

9.如权利要求7所述的发光元件，其中该第二保护层的厚度大于该第一反射结构的厚度。

10.如权利要求1所述的发光元件，还包含电极位于该第一保护层上；以及该第一保护层包含一或多个第三开口位于该半导体叠层的周围，且该电极经由该一或多第三开口接触该第一半导体层上表面。