[发明专利]三维存储器件

权利要求书

1.一种三维(3D)存储器件，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的外围设备；

存储堆叠层，其设置在所述外围设备之上并包括多个导体/电介质层对；

多个存储器串，所述存储器串中的每个存储器串垂直延伸穿过所述存储堆叠层，并且包括漏极选择栅和所述漏极选择栅之上的源极选择栅；

单晶硅层，其位于所述多个存储器串之上，

单晶硅插塞，其位于所述单晶硅层中，并设置在所述多个存储器串中的每个存储器串之上，并且与之接触，其中，每个所述单晶硅插塞用作每个相应的存储器串的源极；

其中，所述存储堆叠层的阶梯结构中的沿着远离所述衬底的垂直方向的所述导体/电介质层对的边缘朝向所述存储器串横向交错排列；

多个位线通孔触点，其设置在所述存储堆叠层之下，并且具有与所述多个存储器串中的相应存储器串的漏极端接触的上端；

多个字线通孔触点，其设置在所述存储堆叠层的相应导体层上方，并且与之接触；以及

多个源极线通孔触点，其设置在所述存储堆叠层上方，其中，所述多个源极线通孔触点中的每个源极线通孔触点包括与所述单晶硅插塞中的一个单晶硅插塞接触的下端。

2.如权利要求1所述的三维存储器件，还包括设置在所述存储器串之上的第一互连层。

3.如权利要求1所述的三维存储器件，还包括在所述存储器串和所述外围设备之间的键合界面。

4.如权利要求3所述的三维存储器件，还包括在所述键合界面与所述外围设备之间的第二互连层以及在所述键合界面与所述存储器串之间的第三互连层。

5.如权利要求2所述的三维存储器件，其中，所述字线通孔触点中的每个字线通孔触点包括与所述导体/电介质层对中的一个导体/电介质层对中的所述相应导体层接触的下端和与所述第一互连层接触的上端。

6.如权利要求2所述的三维存储器件，其中，所述源极线通孔触点中的每个源极线通孔触点还包括与所述第一互连层接触的上端。

7.如权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述存储器串中的每个存储器串包括：

垂直延伸穿过所述导体/电介质层对的半导体沟道；

所述导体/电介质层对与所述半导体沟道之间的隧穿层；以及

所述隧穿层与所述导体/电介质层对之间的存储层。

8.如权利要求1所述的三维存储器件，还包括：

多个隔离区，其在所述多个存储器串之上，并且将所述单晶硅插塞彼此分开。

9.如权利要求8所述的三维存储器件，其中，所述多个隔离区包括与所述单晶硅插塞的厚度相同的厚度。

10.如权利要求1所述的三维存储器件，还包括：

多个源极线通孔触点，其中，每个源极线通孔触点的下端与所述单晶硅插塞中的相应单晶硅插塞接触。

11.如权利要求1所述的三维存储器件，还包括：

多个字线通孔触点，其沿第一垂直方向从所述存储堆叠层延伸；以及

多个位线通孔触点，其沿与所述第一垂直方向相反的第二垂直方向从所述存储堆叠层延伸。

12.如权利要求3所述的三维存储器件，其中，所述键合界面包括在所述键合界面的第一侧上的多个第一键合触点和第一电介质，以及位于所述键合界面的第二侧上的多个第二键合触点和第二电介质，其中，在所述键合界面处，所述第一键合触点和所述第一电介质混合键合到所述第二键合触点和所述第二电介质。