[发明专利]一种半导体环件凸结体的焊接方法

说明书

本发明提供一种半导体环件凸结体的焊接方法，所述焊接方法包括如下步骤：(1)将凸结体与环件本体配合设置，在焊缝中进行点焊，得到预焊后环件；(2)步骤(1)所述预焊后环件经电子束焊接，得到焊接后环件；所述焊接方法在环件送入电子束焊接腔体前，将凸结体牢固固定在环本体上，显著提高了产品的焊接效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及半导体环件技术领域，特别涉及一种半导体环件凸结体的焊接方法。

背景技术

目前，在半导体结构表面形成电极膜通常采用溅射的方法。溅射是一种物理气相淀积(PVD)的镀膜方式，其是用带电粒子轰击靶材，使靶材发生表面原子碰撞并发生能量和动量的转移，靶材原子从表面逸出并淀积在衬底上的过程。利用溅射工艺可在衬底表面形成金属、合金或电介质薄膜。

由于带电粒子轰击靶材的方向是不确定的，导致从靶材表面逸出的靶材原子的方向性较差，即靶材原子会从各个角度脱离靶材表面，之后沿直线到达衬底表面，进而使得靶材原子对衬底表面内接触孔或通孔的底部和侧壁覆盖能力差，以及对台阶的侧壁覆盖能力也很差，因此为了在接触孔或通孔的底部和侧壁以及台阶的侧壁取得较好的覆盖效果，通常采用准直溅射。准直溅射通常在溅射设备中安置环件结构，以约束溅射粒子的运动轨迹，也就是说，所述环件结构在溅射过程中起到聚焦高能量粒子的作用。

CN101565819A公开了一种磁控溅射环，包括用钽或铌金属制成的圆形环体，沿环体外缘装有起固定和引入电流作用的凸结体，圆形环体表面有凸菱形滚花。该环件在钽作为靶材在溅射机上使用，各方面性能达到设计要求。但并未意识到现有凸结体焊接效率低的问题。

CN111575663A公开了一种磁控溅射环件及其配合孔的加工方法，所述的磁控溅射环件包括环件本体，所述环件本体的外侧环面上设置有至少一个配合孔，所述配合孔内固定有突出于环件本体外侧环面的连接结。但并不能解决现有凸结体焊接效率低的问题。

CN110670031A公开了一种钽环，所述钽环包括环件以及设置在环件表面的花纹，所述花纹呈锥形凹坑状；锥形凹坑状花纹具有较大的比表面积，当在用于溅射过程中，能够附着较大量的溅射源，并且具有较好的附着力，此外花纹呈现锥形凹坑状，锥形凹坑的顶部朝向环件内部，相邻两个锥形凹坑的底部相连，呈现平面状的结构，而非带有尖端的结构，因此能够避免在通电过程中出现的尖端放电的现象，从而提高钽环的使用寿命。但并未意识到环件表面凸结体焊接过程中存在的效率低下的问题。

但目前环件本体与凸结体的焊接工艺主要采用电子束焊接，现有单个凸结体焊接的方法效率低下，并未有针对提高凸结体焊接效率的技术。

因此，需要开发一种环件凸结体的焊接方法，提高现有凸结体的焊接效率。

发明内容

鉴于现有技术中存在的问题，本发明提供一种半导体环件凸结体的焊接方法，所述焊接方法在环件送入电子束焊接腔体前，增加预焊步骤，将凸结体牢固固定在环本体上，显著提高了产品的焊接效率。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供一种半导体环件凸结体的焊接方法，所述焊接方法包括如下步骤：

(1)将凸结体与环件本体配合设置，在焊缝中进行点焊，得到预焊后环件；

(2)步骤(1)所述预焊后环件经电子束焊接，得到焊接后环件。

本发明提供的焊接方法相较于以前单个凸结体焊接的方式，无需重复进行繁琐的抽真空和电子束焊接，能够实现所有凸结体与环件本体结合后再进行一次电子束焊接即可得到焊接后环件，生产效率显著提高。而且本发明通过预焊步骤，相较于原本的铆接，不会出现凸结体掉落等情况，避免了凸结体的多次清洗和重复安装流程，生产效率提高明显。