[发明专利]提高发光效率的红光发光二极管芯片及其制备方法

说明书

本公开提供了提高发光效率的红光发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。红光发光二极管芯片的外延片中，在p型AlInP限制层上依次生长第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜，第一布拉格反射镜包括p‑AlInP子层与p‑AlGaInP子层交替层叠的超晶格结构，第二布拉格反射镜包括p‑AlAs子层与AlGaAs子层交替层叠的超晶格结构。采用不同材料制作的第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜，可以反射更大波长范围内的红光光线，红光发光二极管芯片的发光效率可以得到提高。

技术领域

本公开涉及发光二极管制作领域，特别涉及一种提高发光效率的红光发光二极管芯片及其制备方法。

背景技术

红光发光二极管是一种重要的光源器件，广泛应用于远程遥控，车辆传感，闭路电视等方面，红光发光二极芯片则是用于制备红光发光二极管的基础结构。红光发光二极管外延片通常包括外延片与p、n电极。外延片包括支撑衬底及依次层叠在支撑衬底上的n型AlGaInP电流扩展层、n型AlGaInP欧姆接触层、n型AlInP限制层、发光层、p型AlInP限制层、布拉格反射镜、p型欧姆接触层。p型欧姆接触层上具有延伸至n型AlGaInP欧姆接触层的凹槽，红光发光二极芯片的p电极可设置在p型欧姆接触层上，红光发光二极芯片的n电极可设置在n型AlGaInP欧姆接触层被凹槽暴露的表面上。

倒装的红光发光二极管芯片中，布拉格反射镜可以将发光层出射的光线反射到支撑衬底一侧进行发光。布拉格反射镜通常包括AlGaAs/AlAs超晶格结构，但AlGaAs/AlAs超晶格结构的布拉格反射镜所能反射的光线波长有限，会漏掉红光发光二极管芯片出射的部分光线，导致红光发光二极管的发光效率不够理想。

发明内容

本公开实施例提供了提高发光效率的红光发光二极管芯片及其制备方法，能够提高红光发光二极管的发光效率。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种提高发光效率的红光发光二极管芯片，所述红光发光二极管芯片包括外延片、p电极与n电极，

所述外延片包括支撑衬底及依次层叠在所述支撑衬底上的n型AlGaInP电流扩展层、n型AlGaInP欧姆接触层、n型AlInP限制层、发光层、p型AlInP限制层、第一布拉格反射镜、第二布拉格反射镜与p型欧姆接触层，所述第一布拉格反射镜包括p-AlInP子层与p-AlGaInP子层交替层叠的超晶格结构，所述第二布拉格反射镜包括p-AlAs子层与AlGaAs子层交替层叠的超晶格结构，

所述p型欧姆接触层上具有延伸至所述n型AlGaInP欧姆接触层的凹槽，所述p电极位于所述p型欧姆接触层上，所述n电极位于所述n型AlGaInP欧姆接触层被所述凹槽暴露的表面上。

可选地，所述p-AlGaInP子层中Al的组分为0.2～0.4。

可选地，所述第一布拉格反射镜的周期数为5～10，所述第一布拉格反射镜的厚度为40～65nm。

可选地，所述第二布拉格反射镜的周期数为5～10，所述第二布拉格反射镜的厚度为40～65nm。

可选地，所述p型欧姆接触层的材料为铝镓砷。

可选地，所述外延片还包括钝化保护层，所述钝化保护层包括依次层叠在所述p型欧姆接触层上的Si₃N₄子层与Al₂O₃子层。

可选地，所述外延片还包括GaN绝缘层，所述GaN绝缘层覆盖所述外延片的侧壁上。

本公开实施例提供了一种提高发光效率的红光发光二极管芯片的制备方法，所述红光发光二极管外延片制备方法包括：

提供一支撑衬底；