[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202110433105.6 | 申请日: | 2021-04-21 |
公开(公告)号: | CN113572987A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 金允洪;郑演焕;蔡熙成 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H04N5/357 | 分类号: | H04N5/357;H04N5/369;H04N5/378 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周祺 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
公开了一种图像传感器,包括:衬底,包括活动像素区和非活动像素区,具有比所述活动像素区小的面积;多个活动像素,在所述活动像素区中,所述多个活动像素中的每一个包括第一传输晶体管、第一复位晶体管、第一驱动晶体管和第一选择晶体管;以及多个非活动像素,在所述非活动像素区中,所述多个非活动像素中的每一个包括第二传输晶体管、第二复位晶体管、第二驱动晶体管、第二选择晶体管和连接到所述第二驱动晶体管与所述第二选择晶体管之间的节点的开关晶体管。所述多个非活动像素中包括的多个开关晶体管通过连接布线彼此连接。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年4月28日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0051380的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文中。
技术领域
本公开涉及一种图像传感器。
背景技术
图像传感器是接收光以生成电信号的基于半导体的传感器,并且可以包括具有多个像素的像素阵列、用于驱动该像素阵列并生成图像的逻辑电路和/或类似物。逻辑电路可以从像素获得像素信号以生成图像数据。近来,随着图像传感器中包括的像素数量增大和单个像素的面积减小,已经做出了各种努力来改善像素信号的噪声特性。
发明内容
示例实施例提供了一种图像传感器,可以通过从像素获得复位电压,然后将连接到像素的列线彼此连接,(潜在地)显著减小像素的输出电压波动。
根据一些示例实施例,一种图像传感器包括:衬底,包括活动像素区和非活动像素区,所述非活动像素区具有比所述活动像素区小的面积。多个活动像素,在所述活动像素区中,所述多个活动像素中的每一个包括第一传输晶体管、第一复位晶体管、第一驱动晶体管和第一选择晶体管;以及多个非活动像素,在所述非活动像素区中,所述多个非活动像素中的每一个包括第二传输晶体管、第二复位晶体管、第二驱动晶体管、第二选择晶体管和连接到所述第二驱动晶体管与所述第二选择晶体管之间的节点的开关晶体管。所述多个非活动像素中包括的多个开关晶体管中的每一个开关晶体管通过连接布线彼此连接。
根据一些示例实施例,一种图像传感器包括:多个活动像素,在第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上,所述多个活动像素包括与在所述第二方向上延伸的多个列线之中的一个列线连接的第一选择晶体管;多个非活动像素,在所述第一方向上,所述多个非活动像素包括与所述列线之一连接的第二选择晶体管;多个开关晶体管,所述多个开关晶体管中的每一个连接到所述多个非活动像素中的每一个中包括的对应的第二选择晶体管以及在所述第一方向上延伸的连接布线;以及逻辑电路,被配置为:获得由所述多个活动像素输出的像素数据,并且在所述多个第二选择晶体管导通的同时将所述多个开关晶体管导通。
根据一些示例实施例,一种图像传感器包括:多个像素,连接到在第一方向上延伸的多个行线和在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的多个列线;以及逻辑电路,被配置为从所述多个像素获得像素数据。所述多个像素中的每一个包括光电元件、存储由所述光电元件生成的电荷的浮置扩散区、所述浮置扩散区与所述光电元件之间的传输晶体管、连接到所述浮置扩散区的驱动晶体管、以及连接在所述列线之一与所述驱动晶体管之间的选择晶体管。所述逻辑电路被配置为在第一时间期间从所述多个像素之中的选定像素获得复位信号,被配置为在所述第一时间之后的第二时间期间从所述选定像素获得像素信号,并且被配置为在所述第一时间与所述第二时间之间的传输时间期间将所述多个列线彼此电连接并且将所述选定像素中的每一个的传输晶体管导通。
附图说明
根据结合附图的以下具体实施方式,将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和优点。
图1是根据示例实施例的图像传感器的示意性框图。
图2至图5示出了根据示例实施例的图像传感器的像素阵列。
图6示出了根据示例实施例的图像传感器中包括的像素的一部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110433105.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。