[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202110433105.6 | 申请日: | 2021-04-21 |
公开(公告)号: | CN113572987A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 金允洪;郑演焕;蔡熙成 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H04N5/357 | 分类号: | H04N5/357;H04N5/369;H04N5/378 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周祺 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
衬底,包括活动像素区和非活动像素区,所述非活动像素区具有比所述活动像素区小的面积;
多个活动像素,在所述活动像素区中,所述多个活动像素中的每一个包括第一传输晶体管、第一复位晶体管、第一驱动晶体管和第一选择晶体管;以及
多个非活动像素,在所述非活动像素区中,所述多个非活动像素中的每一个包括第二传输晶体管、第二复位晶体管、第二驱动晶体管、第二选择晶体管和连接到所述第二驱动晶体管与所述第二选择晶体管之间的节点的开关晶体管,
其中,所述多个非活动像素中包括的多个开关晶体管中的每一个通过连接布线彼此连接。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:
多个行线,在第一方向上延伸并连接到所述多个活动像素或所述多个非活动像素;以及
多个列线,在与所述第一方向相交的第二方向上延伸,并连接到所述多个活动像素和所述多个非活动像素,
其中,所述多个非活动像素中的至少一个和所述多个活动像素的一部分在所述第一方向上处于相同位置,并且共同连接到所述多个列线之一。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,所述活动像素区和所述非活动像素区在所述第一方向上具有相同的宽度。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述多个活动像素中的每一个包括第一光电元件,并且所述多个非活动像素中的每一个包括第二光电元件,并且
多个所述第一光电元件中的每一个的光接收面积与多个所述第二光电元件中的每一个的光接收面积相同。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中,所述多个非活动像素中的每一个包括阻挡层,所述阻挡层阻挡多个所述第二光电元件中的每一个受光。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述非活动像素区包括多个非活动像素区,并且所述活动像素区在所述多个非活动像素区之间。
7.根据权利要求6所述的图像传感器,其中,在所述多个非活动像素区中的每一个中,多个非活动像素在第一方向上,并且在与所述第一方向相交的第二方向上与所述多个活动像素中的至少一个相邻。
8.根据权利要求7所述的图像传感器,其中,所述多个非活动像素与其他非活动像素区中的多个非活动像素不相邻。
9.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述活动像素区的面积与所述非活动像素区的面积之比为100:1至5000:1。
10.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,在所述多个非活动像素中的每一个中,对应的开关晶体管的栅极连接到对应的第二选择晶体管的栅极。
11.一种图像传感器,包括:
多个活动像素,在第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上,所述多个活动像素中的每一个包括与在所述第二方向上延伸的多个列线之中的一个列线连接的第一选择晶体管;
多个非活动像素,在所述第一方向上,所述多个非活动像素中的每一个包括与所述多个列线之一连接的第二选择晶体管;
多个开关晶体管,所述多个开关晶体管中的每一个连接到所述多个非活动像素中的每一个中包括的对应的第二选择晶体管以及在所述第一方向上延伸的连接布线;以及
逻辑电路,被配置为:获得由所述多个活动像素输出的像素数据,并且在所述多个第二选择晶体管导通的同时将所述多个开关晶体管导通。
12.根据权利要求11所述的图像传感器,其中,所述多个活动像素中的每一个包括第一光电元件、第一传输晶体管、第一复位晶体管和第一驱动晶体管,并且
所述多个非活动像素中的每一个包括第二光电元件、第二传输晶体管、第二复位晶体管和第二驱动晶体管。
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