[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 202110428572.X 申请日: 2021-04-21
公开(公告)号: CN113380958A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 石博;于池;周瑞;黄炜赟 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 柴亮;姜春咸
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 显示 及其 制备 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示基板,具有采集区,所述显示基板的背侧用于设置透过采集区采集图像的图像采集单元;所述显示基板包括基底和多个位于采集区的反射结构,所述采集区中的反射结构之间有透光部;其特征在于,

所述采集区中设有与至少部分反射结构对应的消光结构,所述消光结构位于反射结构靠近背侧的一侧;

每个所述消光结构在基底上的正投影与其对应的反射结构在基底上的正投影重叠;每个所述消光结构包括在平行于基底的水平面中位于不同位置的第一介质层和第二介质层,所述第一介质层的折射率与第二介质层的折射率不同。

2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,

所述消光结构与反射结构均设于基底背离背侧的一侧,所述消光结构位于反射结构与基底之间。

3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,

所述消光结构与反射结构靠近背侧的一侧接触。

4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,

所述采集区中有多个间隔设置的发光器件,每个所述发光器件包括第一电极;

所述反射结构包括发光器件的第一电极。

5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,

在远离所述基底的方向上,所述发光器件包括依次设置的第一电极、发光层、第二电极;

所述消光结构位于第一电极与基底之间。

6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,

每个所述消光结构的第一介质层在基底上的正投影的面积,占该消光结构在基底上的正投影的面积的40%~60%。

7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征于,

所述第一介质层的折射率与第二介质层的折射率的差的绝对值在0.2~0.4之间。

8.根据权利要求1所述的显示基板,其特征于,

所述消光结构的厚度在0.2微米~0.5微米之间。

9.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,

所述第一介质层由无机绝缘材料构成;

所述第二介质层由有机绝缘材料构成。

10.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,

所述第一介质层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一种;

所述第二介质层的材料包括平坦化层材料。

11.根据权利要求1所述的显示基板,其特征于,还包括:

覆盖在所述第一介质层上的平坦化层,所述平坦化层填充至第一介质层间隔中的部分构成第二介质层。

12.一种显示装置,其特征在于,包括:

权利要求1至11中任意一项所述的显示基板;

设于所述显示基板背侧的图像采集单元,所述图像采集单元用于透过显示基板的采集区采集图像。

13.一种显示基板的制备方法,其特征在于,所述显示基板为权利要求1至11中任意一项所述的显示基板,所述制备方法包括:

在基底上形成所述反射结构,在基底上形成所述消光结构。

14.根据权利要求13所述的制备方法,其特征于,所述显示基板为权利要求11所述的显示基板,所述在基底上形成所述消光结构包括:

通过构图工艺,在所述基底上形成第一介质层;

在所述基底上形成覆盖第一介质层的平坦化层,所述平坦化层填充至第一介质层间隔中的部分构成第二介质层。

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