[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 202110428572.X | 申请日: | 2021-04-21 |
| 公开(公告)号: | CN113380958A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
| 发明(设计)人: | 石博;于池;周瑞;黄炜赟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,属于显示技术领域,其可至少部分解决现有的显示装置采集的图像容易产生鬼影的问题。本发明的显示基板具有采集区,所述显示基板的背侧用于设置透过采集区采集图像的图像采集单元;所述显示基板包括基底和多个位于采集区的反射结构,所述采集区中的反射结构之间有透光部;所述采集区中设有与至少部分反射结构对应的消光结构,所述消光结构位于反射结构靠近背侧的一侧;每个所述消光结构在基底上的正投影与其对应的反射结构在基底上的正投影重叠;每个所述消光结构包括在平行于基底的水平面中位于不同位置的第一介质层和第二介质层,所述第一介质层的折射率与第二介质层的折射率不同。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
在采用屏下摄像的显示装置(如手机)中,图像采集单元(如摄像头)可设于显示基板(显示面板)的背侧(即背离显示侧的一侧)。而显示基板对应图像采集单元的区域为采集区,采集区中也设有发光器件(如有机发光二极管) 以进行显示;而发光器件的间隔处为可透光的透光部,图像采集单元可利用从透光部透过的光形成图像。
但是,以上显示装置中,图像采集单元采集的图像容易出现“鬼影(Ghost)”不良,影响图像采集质量。
发明内容
本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。
第一方面,本发明实施例提供一种显示基板,具有采集区,所述显示基板的背侧用于设置透过采集区采集图像的图像采集单元;所述显示基板包括基底和多个位于采集区的反射结构,所述采集区中的反射结构之间有透光部;
所述采集区中设有与至少部分反射结构对应的消光结构,所述消光结构位于反射结构靠近背侧的一侧;
每个所述消光结构在基底上的正投影与其对应的反射结构在基底上的正投影重叠;每个所述消光结构包括在平行于基底的水平面中位于不同位置的第一介质层和第二介质层,所述第一介质层的折射率与第二介质层的折射率不同。
可选的,所述消光结构与反射结构均设于基底背离背侧的一侧,所述消光结构位于反射结构与基底之间。
可选的,所述消光结构与反射结构靠近背侧的一侧接触。
可选的,所述采集区中有多个间隔设置的发光器件,每个所述发光器件包括第一电极;
所述反射结构包括发光器件的第一电极。
可选的,在远离所述基底的方向上,所述发光器件包括依次设置的第一电极、发光层、第二电极;
所述消光结构位于第一电极与基底之间。
可选的,每个所述消光结构的第一介质层在基底上的正投影的面积,占该消光结构在基底上的正投影的面积的40%~60%。
可选的,所述第一介质层的折射率与第二介质层的折射率的差的绝对值在 0.2~0.4之间。
可选的,所述消光结构的厚度在0.2微米~0.5微米之间。
可选的,所述第一介质层由无机绝缘材料构成;
所述第二介质层由有机绝缘材料构成。
可选的,所述第一介质层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一种;
所述第二介质层的材料包括平坦化层材料。
可选的,所述显示基板还包括:
覆盖在所述第一介质层上的平坦化层,所述平坦化层填充至第一介质层间隔中的部分构成第二介质层。
第二方面,本发明实施例提供一种显示装置,包括:
上述任意一种显示基板;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110428572.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





