[发明专利]晶圆测试错位的监控方法、装置、设备及存储介质有效
申请号: | 202110427621.8 | 申请日: | 2021-04-20 |
公开(公告)号: | CN113270342B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 王英广;肖绪峰;王健;刘超 | 申请(专利权)人: | 深圳米飞泰克科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 赵倩 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 错位 监控 方法 装置 设备 存储 介质 | ||
1.一种晶圆测试错位的监控方法,其特征在于,所述方法包括:
获取第一晶圆中的多个指定位置上的芯片的测试结果,得到多个芯片的测试结果,所述测试结果用于指示对应的芯片有效或失效,所述第一晶圆包括多个晶圆区域,每个晶圆区域包括所述多个指定位置中的部分指定位置;
依次根据所述多个晶圆区域中每个晶圆区域内指定位置上的芯片的测试结果,确定每个晶圆区域的失效芯片信息,所述失效芯片信息包括所述多个芯片中失效芯片的失效芯片比例和/或失效芯片位置分布信息;
每确定一个晶圆区域的失效芯片信息后,根据已确定的晶圆区域的失效芯片信息,确定所述第一晶圆是否发生测试错位。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,每个晶圆区域的失效芯片信息包括失效芯片比例,且每个晶圆区域对应有指定失效芯片比例;
所述根据已确定的晶圆区域的失效芯片信息,确定所述第一晶圆是否发生测试错位,包括:
若第一晶圆区域的失效芯片比例与所述第一晶圆区域对应的指定失效芯片比例之间的差值大于或等于比例阈值,则确定所述第一晶圆发生测试错位,所述第一晶圆区域是指本次确定的失效芯片信息对应的晶圆区域;
若所述第一晶圆区域的失效芯片比例与所述第一晶圆区域对应的指定失效芯片比例之间的差值小于所述比例阈值,且已确定的晶圆区域包括所述多个晶圆区域中的所有晶圆区域,则确定所述第一晶圆未发生测试错位。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,每个晶圆区域的失效芯片信息包括失效芯片比例和失效芯片位置分布信息,且每个晶圆区域对应有指定失效芯片比例和指定位置分布信息;
所述根据已确定的晶圆区域的失效芯片信息,确定所述第一晶圆是否发生测试错位,包括:
若第一晶圆区域的失效芯片比例与所述第一晶圆区域对应的指定失效芯片比例之间的差值大于或等于比例阈值,和/或,所述第一晶圆区域的失效芯片位置分布信息与所述第一晶圆区域对应的指定位置分布信息之间的匹配度小于匹配度阈值,则确定所述第一晶圆发生测试错位,所述第一晶圆区域是指本次确定的失效芯片信息对应的晶圆区域;
在所述第一晶圆区域的失效芯片比例与所述第一晶圆区域对应的指定失效芯片比例之间的差值小于所述比例阈值,且所述第一晶圆区域的失效芯片位置分布信息与所述第一晶圆区域对应的指定位置分布信息之间的匹配度大于或等于所述匹配度阈值的情况下,若已确定的晶圆区域包括所述多个晶圆区域中的所有晶圆区域,则确定所述第一晶圆未发生测试错位。
4.如权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于,所述多个指定位置包括所述第一晶圆中与预设芯片所在位置之间的距离最小的位置,所述预设芯片包括所述第一晶圆中不需要测试的芯片。
5.如权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于,所述失效芯片包括测试结果为开短路测试失效的芯片。
6.一种晶圆测试错位的监控装置,其特征在于,所述装置包括:
获取模块,用于获取第一晶圆中的多个指定位置上的芯片的测试结果,得到多个芯片的测试结果,所述测试结果用于指示对应的芯片有效或失效,所述第一晶圆包括多个晶圆区域,每个晶圆区域包括所述多个指定位置中的部分指定位置;
第一确定模块,用于依次根据所述多个晶圆区域中每个晶圆区域内指定位置上的芯片的测试结果,确定每个晶圆区域的失效芯片信息,所述失效芯片信息包括所述多个芯片中失效芯片的失效芯片比例和/或失效芯片位置分布信息;
第二确定模块,用于每确定一个晶圆区域的失效芯片信息后,根据已确定的晶圆区域的失效芯片信息,确定所述第一晶圆是否发生测试错位。
7.一种控制设备,包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至5任一项所述的方法。
8.一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有指令,其特征在于,所述指令被处理器执行时实现权利要求1至5任一项所述的方法的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造