[发明专利]一种高β晶含量聚偏二氟乙烯单向拉伸薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种高β晶含量聚偏二氟乙烯单向拉伸薄膜，其特征在于：所述聚偏二氟乙烯单向拉伸薄膜β晶相对含量不小于87％。

2.根据权利要求1所述高β晶含量聚偏二氟乙烯单向拉伸薄膜，其特征在于：聚偏二氟乙烯单向拉伸薄膜的平均厚度偏差在±5％以内。

3.根据权利要求1或2所述高β晶含量聚偏二氟乙烯单向拉伸薄膜，其特征在于：所述聚偏二氟乙烯单向拉伸薄膜的宽度为1000～1500mm，厚度为30～40μm。

4.一种高β晶含量聚偏二氟乙烯单向拉伸薄膜的制备方法，其特征在于包括下述步骤：

(1)称取PVDF原料粒子；

(2)将步骤(1)称取的PVDF原料粒子加入双螺杆挤出机熔融挤出；

(3)在线单向拉伸PVDF片，得到β晶相对含量不小于87％的高β晶含量聚偏二氟乙烯单向拉伸薄膜。

5.根据权利要求4所述的高β晶含量聚偏二氟乙烯单向拉伸薄膜的制备方法，其特征在于：所述的PVDF原料粒子数均分子量为5～9万，熔融指数为1～4g/10min。

6.根据权利要求4所述的高β晶含量聚偏二氟乙烯单向拉伸薄膜的制备方法，其特征在于：熔融挤出时，挤出机温度设置在160～250℃，挤出机转速在100～300rpm。

7.根据权利要求4所述的高β晶含量聚偏二氟乙烯单向拉伸薄膜的制备方法，其特征在于：在线单向拉伸PVDF片时，间距设置在20～80mm。

8.根据权利要求5所述的高β晶含量聚偏二氟乙烯单向拉伸薄膜的制备方法，其特征在于：在线单向拉伸PVDF片时，拉伸温度为80～120℃，拉伸速率为1000～4000％s^-1。

9.根据权利要求4所述的高β晶含量聚偏二氟乙烯单向拉伸薄膜的制备方法，其特征在于：通过模头自动调整装置，使聚偏二氟乙烯单向拉伸薄膜平均厚度偏差控制在±5％以内。

10.根据权利要求4所述的高β晶含量聚偏二氟乙烯单向拉伸薄膜的制备方法，其特征在于：所述聚偏二氟乙烯单向拉伸薄膜的宽度为1000～1500mm，厚度为30～40μm。