[发明专利]一种氮化硅光纤结构件的制备方法有效
| 申请号： | 202110423393.7 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113135760B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 张伟儒;魏文钊;孙峰;徐金梦;董廷霞;徐学敏;杨厚萌;李泽坤;郭杨;丁智杰;李洪浩;吕沛远 | 申请（专利权）人： | 中材高新氮化物陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/64 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 马丛 |
| 地址： | 255000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 光纤 结构件 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化硅光纤结构件的制备方法，其特征在于，由以下步骤组成：
将二氧化钛和烧结助剂进行预混合，加入乙醇和氮化硅后进行球磨，得到料浆；
将所述料浆依次进行喷雾造粒、压制和烧结，得到所述氮化硅光纤结构件；所述氮化硅光纤结构件为圆环状，单边厚度4mm，外径250mm；
所述烧结助剂包括氧化铝和氧化钇；
所述压制的方式为冷等静压压制；
所述压制的压力为10~20MPa，时间为1.5~18min；
所述氧化铝和氧化钇的质量比为（2~3）：（1~3）；
所述二氧化钛、烧结助剂和氮化硅的质量比为（1~2）：（4~9）：（90~95）；
所述烧结在氮气气氛中进行；
所述氮气气氛的压强为2~15MPa；
所述烧结的温度为1600~1850℃，时间为0.5~19h。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氮化硅和乙醇的质量比为（0.5~0.7）：（1~1.2）。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述喷雾造粒的进口温度为190~210℃，喷片孔径为0.9~1.1mm。
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