[发明专利]显示设备

说明书

本公开关于一种显示设备，包括：一基板；一第一晶体管，设置于该基板上，其中该第一晶体管包括一第一半导体层；一第二晶体管，设置于该基板上，其中该第二晶体管包括一第二半导体层；一第一缓冲层，设置于该基板上；一第二缓冲层，设置于该第一缓冲层上；以及一第一绝缘层，设置于该第二缓冲层上和该第一半导体层下；其中，该第一缓冲层和该第一绝缘层包括氧化硅，该第二缓冲层包括氮化硅；其中，该第一半导体层和该第二半导体层其中之一包括一硅半导体层，另一个包括一氧化物半导体层，且该第一晶体管与该第二晶体管电性连接。

本申请是分案申请，母案的申请号：201710821814.5，申请日：2017年09月13日，名称：显示设备。

技术领域

本公开关于一种显示设备，更具体而言，本公开关于一种包括低温多晶硅薄膜晶体管以及金属氧化物薄膜晶体管的显示设备。

背景技术

随者显示设备的技术进步，显示面板朝向更多功能、更轻薄的方向发展。薄膜显示器，例如液晶显示面板、有机发光二极管(OLED)显示面板、和无机发光二极管显示面板等，已取代阴极射线管而成为主导市场的显示设备。薄膜显示器的应用广泛，多数日常电子产品均使用薄膜显示面板，例如移动电话、笔记本电脑、摄影机、照相机、播音器、行动导航、电视等。

液晶显示设备和OLED显示设备为市场上常见的显示设备，其中LCD显示设备特别受惠于技术成长，因此制造商更加致力于改良显示设备的显示质量，以因应显示设备的技术进展以及消费者需求。

薄膜晶体管(Thin film transistor，TFT)结构可为多晶硅薄膜晶体管，其具有高载子移动率的特征；或可为金属氧化物薄膜晶体管，其具有低漏电流的特征。虽然多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管的部分特征彼此互补，但目前并无结合前述两个类型的晶体管的显示设备；其原因在于两者制造过程不兼容，使得此类晶体管显示设备制造过程总体而言非常复杂，例如需要多次化学气相沉积。

基于以上理由，有必要改良并且简化薄膜晶体管基板的制备方法，使其具有多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管。

发明内容

本公开的目的是提供一种显示设备，其同时具有两种晶体管。

为达成上述目的，本公开的显示设备包括：一基板；一第一晶体管，设置于该基板上，其中该第一晶体管包括一第一半导体层；一第二晶体管，设置于该基板上，其中该第二晶体管包括一第二半导体层；一第一缓冲层，设置于该基板上；一第二缓冲层，设置于该第一缓冲层上；以及一第一绝缘层，设置于该第二缓冲层上和该第一半导体层下；其中，该第一缓冲层和该第一绝缘层包括氧化硅，该第二缓冲层包括氮化硅；其中，该第一半导体层和该第二半导体层其中之一包括一硅半导体层，另一个包括一氧化物半导体层，且该第一晶体管与该第二晶体管电性连接。

本公开另提供一种显示设备包括：一基板，包括一显示区及一周边区，该周边区与该显示区相邻；一第一晶体管，设置于该周边区上，其中该第一晶体管包括一第一半导体层以及一第一栅极设置于该第一半导体层上；一第二晶体管，设置于该显示区上，其中该第二晶体管包括一第二半导体层以及一第二栅极设置于该第二半导体层上；其中，该第一半导体层和该第二半导体层其中之一包括一硅半导体层，另一个包括一氧化物半导体层，且该第一晶体管与该第二晶体管电性连接。

其他目的、优势、新颖特征将于下文详述之，并参照图式，以明确表示本公开。

附图说明

图1是本公开实施例1的显示设备的剖面示意图。

图2是本公开实施例1的显示设备的上方视图。

图3是图2的显示设备沿L1-L1’剖面线的剖面示意图。

图4是图2的显示设备沿L2-L2’剖面线的剖面示意图。

图5A是图3的放大图。